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內(nèi)存又稱主存,是CPU能直接尋址的存儲(chǔ)空間,由半導(dǎo)體器件制成。內(nèi)存的特點(diǎn)是存取速率快。內(nèi)存是電腦中的主要部件,它是相對(duì)于外存而言的。我們平常使用的程序,如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等,一般都是安裝在硬盤等外存上的,但僅此是不能使用其功能的,必須把它們調(diào)入內(nèi)存中運(yùn)行,才能真正使用其功能,我們平時(shí)輸入一段文字,或玩一個(gè)游戲,其實(shí)都是在內(nèi)存中進(jìn)行的。就好比在一個(gè)書房里,存放書籍的書架和書柜相當(dāng)于電腦的外存,而我們工作的辦公桌就是內(nèi)存。通常我們把要永久保存的、大量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在外存上,而把一些臨時(shí)的或少量的數(shù)據(jù)和程序放在內(nèi)存上,當(dāng)然內(nèi)存的好壞會(huì)直接影響電腦的運(yùn)行速度。

內(nèi)存一般采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元,包括隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM）,只讀存儲(chǔ)器（ROM）,以及高速緩存（CACHE）。只不過因?yàn)镽AM是其中最重要的存儲(chǔ)器。（synchronous）SDRAM 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器：SDRAM為168腳,這是目前PENTIUM及以上機(jī)型使用的內(nèi)存。SDRAM將CPU與RAM通過一個(gè)相同的時(shí)鐘鎖在一起,使CPU和RAM能夠共享一個(gè)時(shí)鐘周期,以相同的速度同步工作,每一個(gè)時(shí)鐘脈沖的上升沿便開始傳遞數(shù)據(jù),速度比EDO內(nèi)存提高50%。DDR（DOUBLE DATA RATE）RAM ：SDRAM的更新?lián)Q代產(chǎn)品,他允許在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù),這樣不需要提高時(shí)鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。

只讀存儲(chǔ)器（ROM）

ROM表示只讀存儲(chǔ)器（Read Only Memory）,在制造ROM的時(shí)候,信息（數(shù)據(jù)或程序）就被存入并永久保存。這些信息只能讀出,一般不能寫入,即使機(jī)器停電,這些數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失。ROM一般用于存放計(jì)算機(jī)的基本程序和數(shù)據(jù),如BIOS ROM。其物理外形一般是雙列直插式（DIP）的集成塊。

隨機(jī)存儲(chǔ)器

隨機(jī)存儲(chǔ)器（Random Access Memory）表示既可以從中讀取數(shù)據(jù),也可以寫入數(shù)據(jù)。當(dāng)機(jī)器電源關(guān)閉時(shí),存于其中的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。我們通常購買或升級(jí)的內(nèi)存條就是用作電腦的內(nèi)存,內(nèi)存條（SIMM）就是將RAM集成塊集中在一起的一小塊電路板,它插在計(jì)算機(jī)中的內(nèi)存插槽上,以減少RAM集成塊占用的空間。目前市場(chǎng)上常見的內(nèi)存條有1G/條,2G/條,4G/條等。

高速緩沖存儲(chǔ)器

Cache也是我們經(jīng)常遇到的概念,也就是平常看到的一級(jí)緩存(L1 Cache）、二級(jí)緩存(L2 Cache）、三級(jí)緩存(L3 Cache）這些數(shù)據(jù),它位于CPU與內(nèi)存之間,是一個(gè)讀寫速度比內(nèi)存更快的存儲(chǔ)器。當(dāng)CPU向內(nèi)存中寫入或讀出數(shù)據(jù)時(shí),這個(gè)數(shù)據(jù)也被存儲(chǔ)進(jìn)高速緩沖存儲(chǔ)器中。當(dāng)CPU再次需要這些數(shù)據(jù)時(shí),CPU就從高速緩沖存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù),而不是訪問較慢的內(nèi)存,當(dāng)然,如需要的數(shù)據(jù)在Cache中沒有,CPU會(huì)再去讀取內(nèi)存中的數(shù)據(jù)。

物理存儲(chǔ)器

物理存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)地址空間是兩個(gè)不同的概念。但是由于這兩者有十分密切的關(guān)系,而且兩者都用B、KB、MB、GB來度量其容量大小,因此容易產(chǎn)生認(rèn)識(shí)上的混淆。初學(xué)者弄清這兩個(gè)不同的概念,有助于進(jìn)一步認(rèn)識(shí)內(nèi)存儲(chǔ)器和用好內(nèi)存儲(chǔ)器。

物理存儲(chǔ)器是指實(shí)際存在的具體存儲(chǔ)器芯片。如主板上裝插的內(nèi)存條和裝載有系統(tǒng)的BIOS的ROM芯片,顯示卡上的顯示RAM芯片和裝載顯示BIOS的ROM芯片,以及各種適配卡上的RAM芯片和ROM芯片都是物理存儲(chǔ)器。

存儲(chǔ)地址空間是指對(duì)存儲(chǔ)器編碼（編碼地址）的范圍。所謂編碼就是對(duì)每一個(gè)物理存儲(chǔ)單元（一個(gè)字節(jié)）分配一個(gè)號(hào)碼,通常叫作“編址”。分配一個(gè)號(hào)碼給一個(gè)存儲(chǔ)單元的目的是為了便于找到它,完成數(shù)據(jù)的讀寫,這就是所謂的“尋址”（所以,有人也把地址空間稱為尋址空間）。

地址空間的大小和物理存儲(chǔ)器的大小并不一定相等。舉個(gè)例子來說明這個(gè)問題：某層樓共有17個(gè)房間,其編號(hào)為801～817。這17個(gè)房間是物理的,而其地址空間采用了三位編碼,其范圍是800～899共100個(gè)地址,可見地址空間是大于實(shí)際房間數(shù)量的。

對(duì)于386以上檔次的微機(jī),其地址總線為32位,因此地址空間可達(dá)2的32次方,即4GB。（雖然如此,但是我們一般使用的一些操作系統(tǒng)例如windows xp、卻最多只能識(shí)別或者使用3.25G的內(nèi)存,64位的操作系統(tǒng)能識(shí)別并使用4G和4G以上的的內(nèi)存,

好了,現(xiàn)在可以解釋為什么會(huì)產(chǎn)生諸如：常規(guī)內(nèi)存、保留內(nèi)存、上位內(nèi)存、高端內(nèi)存、擴(kuò)充內(nèi)存和擴(kuò)展內(nèi)存等不同內(nèi)存類型。

奇/偶校驗(yàn)

奇/偶校驗(yàn)（ECC）是數(shù)據(jù)傳送時(shí)采用的一種校正數(shù)據(jù)錯(cuò)誤的一種方式,分為奇校驗(yàn)和偶校驗(yàn)兩種。

如果是采用奇校驗(yàn),在傳送每一個(gè)字節(jié)的時(shí)候另外附加一位作為校驗(yàn)位,當(dāng)實(shí)際數(shù)據(jù)中“1”的個(gè)數(shù)為偶數(shù)的時(shí)候,這個(gè)校驗(yàn)位就是“1”,否則這個(gè)校驗(yàn)位就是“0”,這樣就可以保證傳送數(shù)據(jù)滿足奇校驗(yàn)的要求。在接收方收到數(shù)據(jù)時(shí),將按照奇校驗(yàn)的要求檢測(cè)數(shù)據(jù)中“1”的個(gè)數(shù),如果是奇數(shù),表示傳送正確,否則表示傳送錯(cuò)誤。

同理偶校驗(yàn)的過程和奇校驗(yàn)的過程一樣,只是檢測(cè)數(shù)據(jù)中“1”的個(gè)數(shù)為偶數(shù)。

CL延遲

CL反應(yīng)時(shí)間是衡定內(nèi)存的另一個(gè)標(biāo)志。CL是CAS Latency的縮寫,指的是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時(shí)間,簡(jiǎn)單的說,就是內(nèi)存接到CPU的指令后的反應(yīng)速度。一般的參數(shù)值是2和3兩種。數(shù)字越小,代表反應(yīng)所需的時(shí)間越短。在早期的PC133內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)中,這個(gè)數(shù)值規(guī)定為3,而在Intel重新制訂的新規(guī)范中,強(qiáng)制要求CL的反應(yīng)時(shí)間必須為2,這樣在一定程度上,對(duì)于內(nèi)存廠商的芯片及PCB的組裝工藝要求相對(duì)較高,同時(shí)也保證了更優(yōu)秀的品質(zhì)。因此在選購品牌內(nèi)存時(shí),這是一個(gè)不可不察的因素。

還有另的詮釋：內(nèi)存延遲基本上可以解釋成是系統(tǒng)進(jìn)入數(shù)據(jù)進(jìn)行存取操作就序狀態(tài)前等待內(nèi)存響應(yīng)的時(shí)間。打個(gè)形象的比喻,就像你在餐館里用餐的過程一樣。你首先要點(diǎn)菜,然后就等待服務(wù)員給你上菜。同樣的道理,內(nèi)存延遲時(shí)間設(shè)置的越短,電腦從內(nèi)存中讀取數(shù)據(jù)的速度也就越快,進(jìn)而電腦其他的性能也就越高。這條規(guī)則雙雙適用于基于英特爾以及AMD處理器的系統(tǒng)中。由于沒有比2-2-2-5更低的延遲,因此國際內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)組織認(rèn)為以現(xiàn)在的動(dòng)態(tài)內(nèi)存技術(shù)還無法實(shí)現(xiàn)0或者1的延遲。

通常情況下,我們用4個(gè)連著的阿拉伯?dāng)?shù)字來表示一個(gè)內(nèi)存延遲,例如2-2-2-5。其中,第一個(gè)數(shù)字最為重要,它表示的是CAS Latency,也就是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時(shí)間。第二個(gè)數(shù)字表示的是RAS-CAS延遲,接下來的兩個(gè)數(shù)字分別表示的是RAS預(yù)充電時(shí)間和Act-to-Precharge延遲。而第四個(gè)數(shù)字一般而言是它們中間最大的一個(gè)。

內(nèi)存頻率

內(nèi)存主頻和CPU主頻一樣,習(xí)慣上被用來表示內(nèi)存的速度,它代表著該內(nèi)存所能達(dá)到的最高工作頻率。內(nèi)存主頻是以MHz（兆赫）為單位來計(jì)量的。內(nèi)存主頻越高在一定程度上代表著內(nèi)存所能達(dá)到的速度越快。內(nèi)存主頻決定著該內(nèi)存最高能在什么樣的頻率正常工作。目前較為主流的內(nèi)存頻率是800MHz的DDR2內(nèi)存,以及一些內(nèi)存頻率更高的DDR3內(nèi)存。

大家知道,計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的時(shí)鐘速度是以頻率來衡量的。晶體振蕩器控制著時(shí)鐘速度,在石英晶片上加上電壓,其就以正弦波的形式震動(dòng)起來,這一震動(dòng)可以通過晶片的形變和大小記錄下來。晶體的震動(dòng)以正弦調(diào)和變化的電流的形式表現(xiàn)出來,這一變化的電流就是時(shí)鐘信號(hào)。而內(nèi)存本身并不具備晶體振蕩器,因此內(nèi)存工作時(shí)的時(shí)鐘信號(hào)是由主板芯片組的北橋或直接由主板的時(shí)鐘發(fā)生器提供的,也就是說內(nèi)存無法決定自身的工作頻率,其實(shí)際工作頻率是由主板來決定的。

DDR內(nèi)存和DDR2內(nèi)存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示,工作頻率是內(nèi)存顆粒實(shí)際的工作頻率,但是由于DDR內(nèi)存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數(shù)據(jù),因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的兩倍；而DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以四倍于工作頻率的速度讀/寫數(shù)據(jù),因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的四倍。例如DDR 200/266/333/400的工作頻率分別是100/133/166/200MHz,而等效頻率分別是200/266/333/400MHz；DDR2 400/533/667/800的工作頻率分別是100/133/166/200MHz,而等效頻率分別是400/533/667/800MHz。

PC機(jī)的設(shè)計(jì)師將1MB中的低端640KB用作RAM,供DOS及應(yīng)用程序使用,高端的384KB則保留給ROM、視頻適配卡等系統(tǒng)使用。從此,這個(gè)界限便被確定了下來并且沿用至今。低端的640KB就被稱為常規(guī)內(nèi)存即PC機(jī)的基本RAM區(qū)。保留內(nèi)存中的低128KB是顯示緩沖區(qū),高64KB是系統(tǒng)BIOS（基本輸入/輸出系統(tǒng)）空間,其余192KB空間留用。從對(duì)應(yīng)的物理存儲(chǔ)器來看,基本內(nèi)存區(qū)只使用了512KB芯片,占用0000至7FFFF這512KB地址。顯示內(nèi)存區(qū)雖有128KB空間,但對(duì)單色顯示器（MDA卡）只需4KB就足夠了,因此只安裝4KB的物理存儲(chǔ)器芯片,占用了B0000至B0FFF這4KB的空間,如果使用彩色顯示器（CGA卡）需要安裝16KB的物理存儲(chǔ)器,占用B8000至BBFFF這16KB的空間,可見實(shí)際使用的地址范圍都小于允許使用的地址空間。

在當(dāng)時(shí)（1980年末至1981年初）這么“大”容量的內(nèi)存對(duì)PC機(jī)使用者來說似乎已經(jīng)足夠了,但是隨著程序的不斷增大,圖象和聲音的不斷豐富,以及能訪問更大內(nèi)存空間的新型CPU相繼出現(xiàn),最初的PC機(jī)和MS－DOS設(shè)計(jì)的局限性變得越來越明顯。

擴(kuò)充內(nèi)存

到1984年,即286被普遍接受不久,人們?cè)絹碓秸J(rèn)識(shí)到640KB的限制已成為大型程序的障礙,這時(shí),Intel和Lotus,這兩家硬、軟件的杰出代表,聯(lián)手制定了一個(gè)由硬件和軟件相結(jié)合的方案,此方法使所有PC機(jī)存取640KB以上RAM成為可能。而Microsoft剛推出Windows不久,對(duì)內(nèi)存空間的要求也很高,因此它也及時(shí)加入了該行列。

在1985年初,Lotus、Intel和Microsoft三家共同定義了LIM－EMS,即擴(kuò)充內(nèi)存規(guī)范,通常稱EMS為擴(kuò)充內(nèi)存。當(dāng)時(shí),EMS需要一個(gè)安裝在I/O槽口的內(nèi)存擴(kuò)充卡和一個(gè)稱為EMS的擴(kuò)充內(nèi)存管理程序方可使用。但是I/O插槽的地址線只有24位（ISA總線）,這對(duì)于386以上檔次的32位機(jī)是不能適應(yīng)的。所以,現(xiàn)在已很少使用內(nèi)存擴(kuò)充卡�，F(xiàn)在微機(jī)中的擴(kuò)充內(nèi)存通常是用軟件如DOS中的EMM386把擴(kuò)展內(nèi)存模擬或擴(kuò)充內(nèi)存來使用。所以,擴(kuò)充內(nèi)存和擴(kuò)展內(nèi)存的區(qū)別并不在于其物理存儲(chǔ)器的位置,而在于使用什么方法來讀寫它。下面將作進(jìn)一步介紹。

前面已經(jīng)說過擴(kuò)充存儲(chǔ)器也可以由擴(kuò)展存儲(chǔ)器模擬轉(zhuǎn)換而成。EMS的原理和XMS不同,它采用了頁幀方式。頁幀是在1MB空間中指定一塊64KB空間（通常在保留內(nèi)存區(qū)內(nèi),但其物理存儲(chǔ)器來自擴(kuò)展存儲(chǔ)器）,分為4頁,每頁16KB。EMS存儲(chǔ)器也按16KB分頁,每次可交換4頁內(nèi)容,以此方式可訪問全部EMS存儲(chǔ)器。符合EMS的驅(qū)動(dòng)程序很多,常用的有EMM386.EXE、QEMM、TurboEMS、386MAX等。DOS和Windows中都提供了EMM386.EXE。

擴(kuò)展內(nèi)存

我們知道,286有24位地址線,它可尋址16MB的地址空間,而386有32位地址線,它可尋址高達(dá)4GB的地址空間,為了區(qū)別起見,我們把1MB以上的地址空間稱為擴(kuò)展內(nèi)存XMS（eXtend memory）。

在386以上檔次的微機(jī)中,有兩種存儲(chǔ)器工作方式,一種稱為實(shí)地址方式或?qū)嵎绞?另一種稱為保護(hù)方式。在實(shí)方式下,物理地址仍使用20位,所以最大尋址空間為1MB,以便與8086兼容。保護(hù)方式采用32位物理地址,尋址范圍可達(dá)4GB。DOS系統(tǒng)在實(shí)方式下工作,它管理的內(nèi)存空間仍為1MB,因此它不能直接使用擴(kuò)展存儲(chǔ)器。為此,Lotus、Intel、AST及Microsoft公司建立了MS－DOS下擴(kuò)展內(nèi)存的使用標(biāo)準(zhǔn),即擴(kuò)展內(nèi)存規(guī)范XMS。我們常在Config.sys文件中看到的Himem.sys就是管理擴(kuò)展內(nèi)存的驅(qū)動(dòng)程序。

擴(kuò)展內(nèi)存管理規(guī)范的出現(xiàn)遲于擴(kuò)充內(nèi)存管理規(guī)范。

高端內(nèi)存

在實(shí)方式下,內(nèi)存單元的地址可記為：

段地址：段內(nèi)偏移

通常用十六進(jìn)制寫為XXXX：XXXX。實(shí)際的物理地址由段地址左移4位再和段內(nèi)偏移相加而成。若地址各位均為1時(shí),即為FFFF：FFFF。其實(shí)際物理地址為：FFF0+FFFF=10FFEF,約為1088KB（少16字節(jié)）,這已超過1MB范圍進(jìn)入擴(kuò)展內(nèi)存了。這個(gè)進(jìn)入擴(kuò)展內(nèi)存的區(qū)域約為64KB,是1MB以上空間的第一個(gè)64KB。我們把它稱為高端內(nèi)存區(qū)HMA（High Memory Area）。HMA的物理存儲(chǔ)器是由擴(kuò)展存儲(chǔ)器取得的。因此要使用HMA,必須要有物理的擴(kuò)展存儲(chǔ)器存在。此外HMA的建立和使用還需要XMS驅(qū)動(dòng)程序HIMEM.SYS的支持,因此只有裝入了HIMEM.SYS之后才能使用HMA。

上位內(nèi)存

為了解釋上位內(nèi)存的概念,我們還得回過頭看看保留內(nèi)存區(qū)。保留內(nèi)存區(qū)是指640KB～1024KB（共384KB）區(qū)域。這部分區(qū)域在PC誕生之初就明確是保留給系統(tǒng)使用的,用戶程序無法插足。但這部分空間并沒有充分使用,因此大家都想對(duì)剩余的部分打主意,分一塊地址空間（注意：是地址空間,而不是物理存儲(chǔ)器）來使用。于是就得到了又一塊內(nèi)存區(qū)域UMB。

UMB（Upper Memory Blocks）稱為上位內(nèi)存或上位內(nèi)存塊。它是由擠占保留內(nèi)存中剩余未用的空間而產(chǎn)生的,它的物理存儲(chǔ)器仍然取自物理的擴(kuò)展存儲(chǔ)器,它的管理驅(qū)動(dòng)程序是EMS驅(qū)動(dòng)程序。

影子內(nèi)存

對(duì)于細(xì)心的讀者,可能還會(huì)發(fā)現(xiàn)一個(gè)問題：即是對(duì)于裝有1MB或1MB以上物理存儲(chǔ)器的機(jī)器,其640KB～1024KB這部分物理存儲(chǔ)器如何使用的問題。由于這部分地址空間已分配為系統(tǒng)使用,所以不能再重復(fù)使用。為了利用這部分物理存儲(chǔ)器,在某些386系統(tǒng)中,提供了一個(gè)重定位功能,即把這部分物理存儲(chǔ)器的地址重定位為1024KB～1408KB。這樣,這部分物理存儲(chǔ)器就變成了擴(kuò)展存儲(chǔ)器,當(dāng)然可以使用了。但這種重定位功能在當(dāng)今高檔機(jī)器中不再使用,而把這部分物理存儲(chǔ)器保留作為Shadow存儲(chǔ)器。Shadow存儲(chǔ)器可以占據(jù)的地址空間與對(duì)應(yīng)的ROM是相同的。Shadow由RAM組成,其速度大大高于ROM。當(dāng)把ROM中的內(nèi)容（各種BIOS程序）裝入相同地址的Shadow RAM中,就可以從RAM中訪問BIOS,而不必再訪問ROM。這樣將大大提高系統(tǒng)性能。因此在設(shè)置CMOS參數(shù)時(shí),應(yīng)將相應(yīng)的Shadow區(qū)設(shè)為允許使用（Enabled）。

經(jīng)過上面分析,內(nèi)存儲(chǔ)器的劃分可歸納如下：

基本內(nèi)存占據(jù)0～640KB地址空間。

保留內(nèi)存 占據(jù)640KB～1024KB地址空間。分配給顯示緩沖存儲(chǔ)器、各適配卡上的ROM和系統(tǒng)ROM BIOS,剩余空間可作上位內(nèi)存UMB。UMB的物理存儲(chǔ)器取自物理擴(kuò)展存儲(chǔ)器。此范圍的物理RAM可作為

Shadow RAM使用。

上位內(nèi)存（UMB）利用保留內(nèi)存中未分配使用的地址空間建立,其物理存儲(chǔ)器由物理擴(kuò)展存儲(chǔ)器取得。UMB由EMS管理,其大小可由EMS驅(qū)動(dòng)程序設(shè)定。

高端內(nèi)存（HMA） 擴(kuò)展內(nèi)存中的第一個(gè)64KB區(qū)域（1024KB～1088KB）。由HIMEM.SYS建立和管理。

XMS內(nèi)存符合XMS規(guī)范管理的擴(kuò)展內(nèi)存區(qū)。其驅(qū)動(dòng)程序?yàn)镠IMEM.SYS。

EMS內(nèi)存 符合EMS規(guī)范管理的擴(kuò)充內(nèi)存區(qū)。其驅(qū)動(dòng)程序?yàn)镋MM386.EXE等。

內(nèi)存：隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM）,主要存儲(chǔ)正在運(yùn)行的程序和要處理的數(shù)據(jù)。

內(nèi)存頻率測(cè)試圖

存主頻決定著該內(nèi)存最高能在什么樣的頻率正常工作。目前較為主流的內(nèi)存頻率是800MHz的DDR2內(nèi)存,以及一些內(nèi)存頻率更高的DDR3內(nèi)存。

大家知道,計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的時(shí)鐘速度是以頻率來衡量的。晶體振蕩器控制著時(shí)鐘速度,在石英晶片上加上電壓,其就以正弦波的形式震動(dòng)起來,這一震動(dòng)可以通過晶片的形變和大小記錄下來。晶體的震動(dòng)以正弦調(diào)和變化的電流的形式表現(xiàn)出來,這一變化的電流就是時(shí)鐘信號(hào)。而內(nèi)存本身并不具備晶體振蕩器,因此內(nèi)存工作時(shí)的時(shí)鐘信號(hào)是由主板芯片組的北橋或直接由主板的時(shí)鐘發(fā)生器提供的,也就是說內(nèi)存無法決定自身的工作頻率,其實(shí)際工作頻率是由主板來決定的。

DDR內(nèi)存和DDR2內(nèi)存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示,工作頻率是內(nèi)存顆粒實(shí)際的工作頻率,但是由于DDR內(nèi)存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數(shù)據(jù),因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的兩倍；而DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以四倍于工作頻率的速度讀/寫數(shù)據(jù),因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的四倍。例如DDR 200/266/333/400的工作頻率分別是100/133/166/200MHz,而等效頻率分別是200/266/333/400MHz；DDR2 400/533/667/800的工作頻率分別是100/133/166/200MHz,而等效頻率分別是400/533/667/800MHz。

SRAM（Static RAM）意為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。SRAM數(shù)據(jù)不需要通過不斷地刷新來保存,因此速度比DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）快得多。但是SRAM具有的缺點(diǎn)是：同容量相比DRAM需要非常多的晶體管,發(fā)熱量也非常大。因此SRAM難以成為大容量的主存儲(chǔ)器,通常只用在CPU、GPU中作為緩存,容量也只有幾十K至幾十M。

SRAM目前發(fā)展出的一個(gè)分支是eSRAM（Enhanced SRAM）,為增強(qiáng)型SRAM,具備更大容量和更高運(yùn)行速度。

RDRAM

RDRAM是由RAMBUS公司推出的內(nèi)存。RDRAM內(nèi)存條為16bit,但是相比同期的SDRAM具有更高的運(yùn)行頻率,性能非常強(qiáng)。

然而它是一個(gè)非開放的技術(shù),內(nèi)存廠商需要向RAMBUS公司支付授權(quán)費(fèi)。并且RAMBUS內(nèi)存的另一大問題是不允許空通道的存在,必須成對(duì)使用,空閑的插槽必須使用終結(jié)器。因此,除了短壽的Intel i820和i850芯片組對(duì)其提供支持外,PC平臺(tái)沒有支持RAMBUS內(nèi)存的芯片組。

可以說,它是一個(gè)優(yōu)秀的技術(shù),但不是一個(gè)成功的商業(yè)產(chǎn)品。

XDRRAM

XDR內(nèi)存是RDRAM的升級(jí)版。依舊由RAMBUS公司推出。XDR就是“eXtreme Data Rate”的縮寫。

XDR依舊存在RDRAM不能大面普及的那些不足之處。因此,XDR內(nèi)存的應(yīng)用依舊非常有限。比較常見的只有索尼的PS3游戲機(jī)。

Fe-RAM

鐵電存儲(chǔ)器是一種在斷電時(shí)不會(huì)丟失內(nèi)容的非易失存儲(chǔ)器,具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點(diǎn)。由于數(shù)據(jù)是通過鐵元素的磁性進(jìn)行存儲(chǔ),因此,鐵電存儲(chǔ)器無需不斷刷新數(shù)據(jù)。其運(yùn)行速度將會(huì)非常樂觀。而且它相比SRAM需要更少的晶體管。它被業(yè)界認(rèn)為是SDRAM的最有可能的替代者。

MRAM

磁性存儲(chǔ)器。它和Fe-RAM具有相似性,依舊基于磁性物質(zhì)來記錄數(shù)據(jù)。

OUM

相變存儲(chǔ)器。

奧弗辛斯基（Stanford Ovshinsky）在1968年發(fā)表了第一篇關(guān)于非晶體相變的論文,創(chuàng)立了非晶體半導(dǎo)體學(xué)。一年以后,他首次描述了基于相變理論的存儲(chǔ)器：材料由非晶體狀態(tài)變成晶體,再變回非晶體的過程中,其非晶體和晶體狀態(tài)呈現(xiàn)不同的反光特性和電阻特性,因此可以利用非晶態(tài)和晶態(tài)分別代表“0”和“1”來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。

內(nèi)存條的誕生

內(nèi)存芯片的狀態(tài)一直沿用到286初期,鑒于它存在著無法拆卸更換的弊病,這對(duì)于計(jì)算機(jī)的發(fā)展造成了現(xiàn)實(shí)的阻礙。有鑒于此,內(nèi)存條便應(yīng)運(yùn)而生了。將內(nèi)存芯片焊接到事先設(shè)計(jì)好的印刷線路板上,而電腦主板上也改用內(nèi)存插槽。這樣就把內(nèi)存難以安裝和更換的問題徹底解決了。

在80286主板發(fā)布之前,內(nèi)存并沒有被世人所重視,這個(gè)時(shí)候的內(nèi)存是直接固化在主板上,而且容量只有64 ～256KB,對(duì)于當(dāng)時(shí)PC所運(yùn)行的工作程序來說,這種內(nèi)存的性能以及容量足以滿足當(dāng)時(shí)軟件程序的處理需要。不過隨著軟件程序和新一代80286硬件平臺(tái)的出現(xiàn),程序和硬件對(duì)內(nèi)存性能提出了更高要求,為了提高速度并擴(kuò)大容量,內(nèi)存必須以獨(dú)立的封裝形式出現(xiàn),因而誕生了“內(nèi)存條”概念。

在80286主板剛推出的時(shí)候,內(nèi)存條采用了SIMM（Single In-lineMemory Modules,單邊接觸內(nèi)存模組）接口,容量為30pin、256kb,必須是由8 片數(shù)據(jù)位和1 片校驗(yàn)位組成1 個(gè)bank,正因如此,我們見到的30pin SIMM一般是四條一起使用。自1982年P(guān)C進(jìn)入民用市場(chǎng)一直到現(xiàn)在,搭配80286處理器的30pin SIMM 內(nèi)存是內(nèi)存領(lǐng)域的開山鼻祖。

隨后,在1988 ～1990 年當(dāng)中,PC 技術(shù)迎來另一個(gè)發(fā)展高峰,也就是386和486時(shí)代,此時(shí)CPU 已經(jīng)向16bit 發(fā)展,所以30pin SIMM 內(nèi)存再也無法滿足需求,其較低的內(nèi)存帶寬已經(jīng)成為急待解決的瓶頸,所以此時(shí)72pin SIMM 內(nèi)存出現(xiàn)了,72pin SIMM支持32bit快速頁模式內(nèi)存,內(nèi)存帶寬得以大幅度提升。72pin SIMM內(nèi)存單條容量一般為512KB ～2MB,而且僅要求兩條同時(shí)使用,由于其與30pin SIMM 內(nèi)存無法兼容,因此這個(gè)時(shí)候PC業(yè)界毅然將30pin SIMM 內(nèi)存淘汰出局了。

EDO DRAM（Extended Date Out RAM 外擴(kuò)充數(shù)據(jù)模式存儲(chǔ)器）內(nèi)存,這是1991 年到1995 年之間盛行的內(nèi)存條,EDO DRAM同F(xiàn)PM DRAM（Fast Page Mode RAM 快速頁面模式存儲(chǔ)器）極其相似,它取消了擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存與傳輸內(nèi)存兩個(gè)存儲(chǔ)周期之間的時(shí)間間隔,在把數(shù)據(jù)發(fā)送給CPU的同時(shí)去訪問下一個(gè)頁面,故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作電壓為一般為5V,帶寬32bit,速度在40ns以上,其主要應(yīng)用在當(dāng)時(shí)的486及早期的Pentium電腦上。

在1991 年到1995 年中,讓我們看到一個(gè)尷尬的情況,那就是這幾年內(nèi)存技術(shù)發(fā)展比較緩慢,幾乎停滯不前,所以我們看到此時(shí)EDO DRAM有72 pin和168 pin并存的情況,事實(shí)上EDO 內(nèi)存也屬于72pin SIMM 內(nèi)存的范疇,不過它采用了全新的尋址方式。EDO 在成本和容量上有所突破,憑借著制作工藝的飛速發(fā)展,此時(shí)單條EDO 內(nèi)存的容量已經(jīng)達(dá)到4 ～16MB。由于Pentium及更高級(jí)別的CPU數(shù)據(jù)總線寬度都是64bit甚至更高,所以EDO DRAM與FPM DRAM都必須成對(duì)使用。

SDRAM時(shí)代

自Intel Celeron系列以及AMD K6處理器以及相關(guān)的主板芯片組推出后,EDO DRAM內(nèi)存性能再也無法滿足需要了,內(nèi)存技術(shù)必須徹底得到個(gè)革新才能滿足新一代CPU架構(gòu)的需求,此時(shí)內(nèi)存開始進(jìn)入比較經(jīng)典的SDRAM時(shí)代。

第一代SDRAM 內(nèi)存為PC66 規(guī)范,但很快由于Intel 和AMD的頻率之爭(zhēng)將CPU外頻提升到了100MHz,所以PC66內(nèi)存很快就被PC100內(nèi)存取代,接著133MHz 外頻的PIII以及K7時(shí)代的來臨,PC133規(guī)范也以相同的方式進(jìn)一步提升SDRAM 的整體性能,帶寬提高到1GB/sec以上。由于SDRAM 的帶寬為64bit,正好對(duì)應(yīng)CPU 的64bit 數(shù)據(jù)總線寬度,因此它只需要一條內(nèi)存便可工作,便捷性進(jìn)一步提高。在性能方面,由于其輸入輸出信號(hào)保持與系統(tǒng)外頻同步,因此速度明顯超越EDO 內(nèi)存。

不可否認(rèn)的是,SDRAM 內(nèi)存由早期的66MHz,發(fā)展后來的100MHz、133MHz,盡管沒能徹底解決內(nèi)存帶寬的瓶頸問題,但此時(shí)CPU超頻已經(jīng)成為DIY用戶永恒的話題,所以不少用戶將品牌好的PC100品牌內(nèi)存超頻到133MHz使用以獲得CPU超頻成功,值得一提的是,為了方便一些超頻用戶需求,市場(chǎng)上出現(xiàn)了一些PC150、PC166規(guī)范的內(nèi)存。

盡管SDRAM PC133內(nèi)存的帶寬可提高帶寬到1064MB/S,加上Intel已經(jīng)開始著手最新的Pentium 4計(jì)劃,所以SDRAM PC133內(nèi)存不能滿足日后的發(fā)展需求,此時(shí),Intel為了達(dá)到獨(dú)占市場(chǎng)的目的,與Rambus聯(lián)合在PC市場(chǎng)推廣Rambus DRAM內(nèi)存（稱為RDRAM內(nèi)存）。與SDRAM不同的是,其采用了新一代高速簡(jiǎn)單內(nèi)存架構(gòu),基于一種類RISC(Reduced Instruction Set Computing,精簡(jiǎn)指令集計(jì)算機(jī)）理論,這個(gè)理論可以減少數(shù)據(jù)的復(fù)雜性,使得整個(gè)系統(tǒng)性能得到提高。

在AMD與Intel的競(jìng)爭(zhēng)中,這個(gè)時(shí)候是屬于頻率競(jìng)備時(shí)代,所以這個(gè)時(shí)候CPU的主頻在不斷提升,Intel為了蓋過AMD,推出高頻PentiumⅢ以及Pentium 4 處理器,因此Rambus DRAM內(nèi)存是被Intel看著是未來自己的競(jìng)爭(zhēng)殺手锏,Rambus DRAM內(nèi)存以高時(shí)鐘頻率來簡(jiǎn)化每個(gè)時(shí)鐘周期的數(shù)據(jù)量,因此內(nèi)存帶寬相當(dāng)出色,如PC 1066 1066 MHz 32 bits帶寬可達(dá)到4.2G Byte/sec,Rambus DRAM曾一度被認(rèn)為是Pentium 4 的絕配。

盡管如此,Rambus RDRAM 內(nèi)存生不逢時(shí),后來依然要被更高速度的DDR“掠奪”其寶座地位,在當(dāng)時(shí),PC600、PC700的Rambus RDRAM 內(nèi)存因出現(xiàn)Intel820 芯片組“失誤事件”、PC800 Rambus RDRAM因成本過高而讓Pentium 4平臺(tái)高高在上,無法獲得大眾用戶擁戴,種種問題讓Rambus RDRAM胎死腹中,Rambus曾希望具有更高頻率的PC1066 規(guī)范RDRAM來力挽狂瀾,但最終也是拜倒在DDR 內(nèi)存面前。

DDR時(shí)代

DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM）簡(jiǎn)稱DDR,也就是“雙倍速率SDRAM”的意思。DDR可以說是SDRAM的升級(jí)版本,DDR在時(shí)鐘信號(hào)上升沿與下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù),這使得DDR的數(shù)據(jù)傳輸速度為傳統(tǒng)SDRAM的兩倍。由于僅多采用了下降緣信號(hào),因此并不會(huì)造成能耗增加。至于定址與控制信號(hào)則與傳統(tǒng)SDRAM相同,僅在時(shí)鐘上升緣傳輸。

DDR 內(nèi)存是作為一種在性能與成本之間折中的解決方案,其目的是迅速建立起牢固的市場(chǎng)空間,繼而一步步在頻率上高歌猛進(jìn),最終彌補(bǔ)內(nèi)存帶寬上的不足。第一代DDR200 規(guī)范并沒有得到普及,第二代PC266 DDR SRAM（133MHz時(shí)鐘×2倍數(shù)據(jù)傳輸=266MHz帶寬）是由PC133 SDRAM內(nèi)存所衍生出的,它將DDR 內(nèi)存帶向第一個(gè)高潮,目前還有不少賽揚(yáng)和AMD K7處理器都在采用DDR266規(guī)格的內(nèi)存,其后來的DDR333內(nèi)存也屬于一種過度,而DDR400內(nèi)存成為目前的主流平臺(tái)選配,雙通道DDR400內(nèi)存已經(jīng)成為800FSB處理器搭配的基本標(biāo)準(zhǔn),隨后的DDR533 規(guī)范則成為超頻用戶的選擇對(duì)象。

DDR2時(shí)代

隨著CPU 性能不斷提高,我們對(duì)內(nèi)存性能的要求也逐步升級(jí)。不可否認(rèn),緊緊依高頻率提升帶寬的DDR遲早會(huì)力不從心,因此JEDEC 組織很早就開始醞釀DDR2 標(biāo)準(zhǔn),加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平臺(tái)開始對(duì)DDR2內(nèi)存的支持,所以DDR2內(nèi)存將開始演義內(nèi)存領(lǐng)域的今天。

DDR2 能夠在100MHz 的發(fā)信頻率基礎(chǔ)上提供每插腳最少400MB/s 的帶寬,而且其接口將運(yùn)行于1.8V 電壓上,從而進(jìn)一步降低發(fā)熱量,以便提高頻率。此外,DDR2 將融入CAS、OCD、ODT 等新性能指標(biāo)和中斷指令,提升內(nèi)存帶寬的利用率。從JEDEC組織者闡述的DDR2標(biāo)準(zhǔn)來看,針對(duì)PC等市場(chǎng)的DDR2內(nèi)存將擁有400、533、667MHz等不同的時(shí)鐘頻率。高端的DDR2內(nèi)存將擁有800、1000MHz兩種頻率。DDR-II內(nèi)存將采用200-、220-、240-針腳的FBGA封裝形式。最初的DDR2內(nèi)存將采用0.13微米的生產(chǎn)工藝,內(nèi)存顆粒的電壓為1.8V,容量密度為512MB。

內(nèi)存技術(shù)在2005年將會(huì)毫無懸念,SDRAM為代表的靜態(tài)內(nèi)存在五年內(nèi)不會(huì)普及。QBM與RDRAM內(nèi)存也難以挽回頹勢(shì),因此DDR與DDR2共存時(shí)代將是鐵定的事實(shí)。

PC-100的“接班人”除了PC一133以外,VCM(VirXual Channel Memory）也是很重要的一員。VCM即“虛擬通道存儲(chǔ)器”,這也是目前大多數(shù)較新的芯片組支持的一種內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),VCM內(nèi)存主要根據(jù)由NEC公司開發(fā)的一種“緩存式DRAM”技術(shù)制造而成,它集成了“通道緩存”,由高速寄存器進(jìn)行配置和控制。在實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐瑫r(shí),VCM還維持著對(duì)傳統(tǒng)SDRAM的高度兼容性,所以通常也把VCM內(nèi)存稱為VCM SDRAM。VCM與SDRAM的差別在于不論是否經(jīng)過CPU處理的數(shù)據(jù),都可先交于VCM進(jìn)行處理,而普通的SDRAM就只能處理經(jīng)CPU處理以后的數(shù)據(jù),所以VCM要比SDRAM處理數(shù)據(jù)的速度快20%以上。目前可以支持VCM SDRAM的芯片組很多,包括：Intel的815E、VIA的694X等。

3．RDRAM

Intel在推出：PC-100后,由于技術(shù)的發(fā)展,PC-100內(nèi)存的800MB/s帶寬已經(jīng)不能滿足需求,而PC-133的帶寬提高并不大（1064MB/s）,同樣不能滿足日后的發(fā)展需求。Intel為了達(dá)到獨(dú)占市場(chǎng)的目的,與Rambus公司聯(lián)合在PC市場(chǎng)推廣Rambus DRAM(DirectRambus DRAM）。

Rambus DRAM是：Rambus公司最早提出的一種內(nèi)存規(guī)格,采用了新一代高速簡(jiǎn)單內(nèi)存架構(gòu),基于一種RISC(Reduced Instruction Set Computing,精簡(jiǎn)指令集計(jì)算機(jī)）理論,從而可以減少數(shù)據(jù)的復(fù)雜性,使得整個(gè)系統(tǒng)性能得到提高。Rambus使用400MHz的16bit總線,在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi),可以在上升沿和下降沿的同時(shí)傳輸數(shù)據(jù),這樣它的實(shí)際速度就為400MHz×2=800MHz,理論帶寬為（16bit×2×400MHz/8）1.6GB/s,相當(dāng)于PC-100的兩倍。另外,Rambus也可以儲(chǔ)存9bit字節(jié),額外的一比特是屬于保留比特,可能以后會(huì)作為：ECC(ErroI·Checking and Correction,錯(cuò)誤檢查修正）校驗(yàn)位。Rambus的時(shí)鐘可以高達(dá)400MHz,而且僅使用了30條銅線連接內(nèi)存控制器和RIMM(Rambus In-line MemoryModules,Rambus內(nèi)嵌式內(nèi)存模塊）,減少銅線的長度和數(shù)量就可以降低數(shù)據(jù)傳輸中的電磁干擾,從而快速地提高內(nèi)存的工作頻率。不過在高頻率下,其發(fā)出的熱量肯定會(huì)增加,因此第一款Rambus內(nèi)存甚至需要自帶散熱風(fēng)扇。

DDR3時(shí)代

DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓,從DDR2的1.8V降落到1.5V,性能更好更為省電；DDR2的4bit預(yù)讀升級(jí)為8bit預(yù)讀。DDR3目前最高能夠達(dá)到2000Mhz的速度,盡管目前最為快速的DDR2內(nèi)存速度已經(jīng)提升到800Mhz/1066Mhz的速度,但是DDR3內(nèi)存模組仍會(huì)從1066Mhz起跳。

一、DDR3在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計(jì)：

1、8bit預(yù)取設(shè)計(jì),而DDR2為4bit預(yù)取,這樣DRAM內(nèi)核的頻率只有接口頻率的1/8,DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。

2、采用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的拓樸架構(gòu),以減輕地址/命令與控制總線的負(fù)擔(dān)。

3、采用100nm以下的生產(chǎn)工藝,將工作電壓從1.8V降至1.5V,增加異步重置（Reset）與ZQ校準(zhǔn)功能。部分廠商已經(jīng)推出1.35V的低壓版DDR3內(nèi)存。

即將到來的DDR4時(shí)代

內(nèi)存廠商預(yù)計(jì)在2012年,DDR4時(shí)代將開啟,起步頻率降至1.2V,而頻率提升至2133MHz,次年進(jìn)一步將電壓降至1.0V,頻率則實(shí)現(xiàn)2667MHz。

新一代的DDR4內(nèi)存將會(huì)擁有兩種規(guī)格。根據(jù)多位半導(dǎo)體業(yè)界相關(guān)人員的介紹,DDR4內(nèi)存將會(huì)是Single-endedSignaling( 傳統(tǒng)SE信號(hào)）方式DifferentialSignaling( 差分信號(hào)技術(shù)）方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也對(duì)此表示了確認(rèn)。預(yù)計(jì)這兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)將會(huì)推出不同的芯片產(chǎn)品,因此在DDR4內(nèi)存時(shí)代我們將會(huì)看到兩個(gè)互不兼容的內(nèi)存產(chǎn)品。

從上表可以看出,在同等核心頻率下,DDR2的實(shí)際工作頻率是DDR的兩倍。這得益于DDR2內(nèi)存擁有兩倍于標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的4BIT預(yù)讀取能力。換句話說,雖然DDR2和DDR一樣,都采用了在時(shí)鐘的上升延和下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕�本方�?但DDR2擁有兩倍于DDR的預(yù)讀取系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力。也就是說,在同樣100MHz的工作頻率下,DDR的實(shí)際頻率為200MHz,而DDR2則可以達(dá)到400MHz。

這樣也就出現(xiàn)了另一個(gè)問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2內(nèi)存中,后者的內(nèi)存延時(shí)要慢于前者。舉例來說,DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲,而后者具有高一倍的帶寬。實(shí)際上,DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬,它們都是3.2GB/s,但是DDR400的核心工作頻率是200MHz,而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz,也就是說DDR2-400的延遲要高于DDR400。

封裝和發(fā)熱量

DDR2內(nèi)存技術(shù)最大的突破點(diǎn)其實(shí)不在于用戶們所認(rèn)為的兩倍于DDR的傳輸能力,而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下,DDR2可以獲得更快的頻率提升,突破標(biāo)準(zhǔn)DDR的400MHZ限制。

DDR內(nèi)存通常采用TSOP芯片封裝形式,這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上,當(dāng)頻率更高時(shí),它過長的管腳就會(huì)產(chǎn)生很高的阻抗和寄生電容,這會(huì)影響它的穩(wěn)定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式。不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP封裝形式,FBGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性,為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了良好的保障。

DDR2內(nèi)存采用1.8V電壓,相對(duì)于DDR標(biāo)準(zhǔn)的2.5V,降低了不少,從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發(fā)熱量,這一點(diǎn)的變化是意義重大的。

DDR2采用的新技術(shù)

除了以上所說的區(qū)別外,DDR2還引入了三項(xiàng)新的技術(shù),它們是OCD、ODT和Post CAS。

OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅(qū)動(dòng)調(diào)整,DDR II通過OCD可以提高信號(hào)的完整性。DDR II通過調(diào)整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信號(hào)的完整性；通過控制電壓來提高信號(hào)品質(zhì)。

ODT：ODT是內(nèi)建核心的終結(jié)電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主板上面為了防止數(shù)據(jù)線終端反射信號(hào)需要大量的終結(jié)電阻。它大大增加了主板的制造成本。實(shí)際上,不同的內(nèi)存模組對(duì)終結(jié)電路的要求是不一樣的,終結(jié)電阻的大小決定了數(shù)據(jù)線的信號(hào)比和反射率,終結(jié)電阻小則數(shù)據(jù)線信號(hào)反射低但是信噪比也較低；終結(jié)電阻高,則數(shù)據(jù)線的信噪比高,但是信號(hào)反射也會(huì)增加。因此主板上的終結(jié)電阻并不能非常好的匹配內(nèi)存模組,還會(huì)在一定程度上影響信號(hào)品質(zhì)。DDR2可以根據(jù)自己的特點(diǎn)內(nèi)建合適的終結(jié)電阻,這樣可以保證最佳的信號(hào)波形。使用DDR2不但可以降低主板成本,還得到了最佳的信號(hào)品質(zhì),這是DDR不能比擬的。

Post CAS：它是為了提高DDR II內(nèi)存的利用效率而設(shè)定的。在Post CAS操作中,CAS信號(hào)（讀寫/命令）能夠被插到RAS信號(hào)后面的一個(gè)時(shí)鐘周期,CAS命令可以在附加延遲（Additive Latency）后面保持有效。原來的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（Additive Latency）所取代,AL可以在0,1,2,3,4中進(jìn)行設(shè)置。由于CAS信號(hào)放在了RAS信號(hào)后面一個(gè)時(shí)鐘周期,因此ACT和CAS信號(hào)永遠(yuǎn)也不會(huì)產(chǎn)生碰撞沖突。

總的來說,DDR2采用了諸多的新技術(shù),改善了DDR的諸多不足,雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足,但相信隨著技術(shù)的不斷提高和完善,這些問題終將得到解決。

DDR3與DDR2幾個(gè)主要的不同之處

1、突發(fā)長度（Burst Length,BL）

由于DDR3的預(yù)取為8bit,所以突發(fā)傳輸周期（Burst Length,BL）也固定為8,而對(duì)于DDR2和早期的DDR架構(gòu)系統(tǒng),BL=4也是常用的,DDR3為此增加了一個(gè)4bit Burst Chop（突發(fā)突變）模式,即由一個(gè)BL=4的讀取操作加上一個(gè)BL=4的寫入操作來合成一個(gè)BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸,屆時(shí)可通過A12地址線來控制這一突發(fā)模式。而且需要指出的是,任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內(nèi)存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制（如4bit順序突發(fā)）。

2、尋址時(shí)序（Timing）

就像DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來后延遲周期數(shù)增加一樣,DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2～5之間,而DDR3則在5～11之間,且附加延遲（AL）的設(shè)計(jì)也有所變化。DDR2時(shí)AL的范圍是0～4,而DDR3時(shí)AL有三種選項(xiàng),分別是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3還新增加了一個(gè)時(shí)序參數(shù)——寫入延遲（CWD）,這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定。

3、DDR3新增的重置（Reset）功能

重置是DDR3新增的一項(xiàng)重要功能,并為此專門準(zhǔn)備了一個(gè)引腳。DRAM業(yè)界很早以前就要求增加這一功能,如今終于在DDR3上實(shí)現(xiàn)了。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡(jiǎn)單。當(dāng)Reset命令有效時(shí),DDR3內(nèi)存將停止所有操作,并切換至最少量活動(dòng)狀態(tài),以節(jié)約電力。

在Reset期間,DDR3內(nèi)存將關(guān)閉內(nèi)在的大部分功能,所有數(shù)據(jù)接收與發(fā)送器都將關(guān)閉,所有內(nèi)部的程序裝置將復(fù)位,DLL（延遲鎖相環(huán)路）與時(shí)鐘電路將停止工作,而且不理睬數(shù)據(jù)總線上的任何動(dòng)靜。這樣一來,將使DDR3達(dá)到最節(jié)省電力的目的。

4、DDR3新增ZQ校準(zhǔn)功能

ZQ也是一個(gè)新增的腳,在這個(gè)引腳上接有一個(gè)240歐姆的低公差參考電阻。這個(gè)引腳通過一個(gè)命令集,通過片上校準(zhǔn)引擎（On-Die Calibration Engine,ODCE）來自動(dòng)校驗(yàn)數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動(dòng)器導(dǎo)通電阻與ODT的終結(jié)電阻值。當(dāng)系統(tǒng)發(fā)出這一指令后,將用相應(yīng)的時(shí)鐘周期（在加電與初始化之后用512個(gè)時(shí)鐘周期,在退出自刷新操作后用256個(gè)時(shí)鐘周期、在其他情況下用64個(gè)時(shí)鐘周期）對(duì)導(dǎo)通電阻和ODT電阻進(jìn)行重新校準(zhǔn)。

5、參考電壓分成兩個(gè)

在DDR3系統(tǒng)中,對(duì)于內(nèi)存系統(tǒng)工作非常重要的參考電壓信號(hào)VREF將分為兩個(gè)信號(hào),即為命令與地址信號(hào)服務(wù)的VREFCA和為數(shù)據(jù)總線服務(wù)的VREFDQ,這將有效地提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的信噪等級(jí)。

6、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)連接（Point-to-Point,P2P）

這是為了提高系統(tǒng)性能而進(jìn)行的重要改動(dòng),也是DDR3與DDR2的一個(gè)關(guān)鍵區(qū)別。在DDR3系統(tǒng)中,一個(gè)內(nèi)存控制器只與一個(gè)內(nèi)存通道打交道,而且這個(gè)內(nèi)存通道只能有一個(gè)插槽,因此,內(nèi)存控制器與DDR3內(nèi)存模組之間是點(diǎn)對(duì)點(diǎn)（P2P）的關(guān)系（單物理Bank的模組）,或者是點(diǎn)對(duì)雙點(diǎn)（Point-to-two-Point,P22P）的關(guān)系（雙物理Bank的模組）,從而大大地減輕了地址/命令/控制與數(shù)據(jù)總線的負(fù)載。而在內(nèi)存模組方面,與DDR2的類別相類似,也有標(biāo)準(zhǔn)DIMM（臺(tái)式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（服務(wù)器）之分,其中第二代FB-DIMM將采用規(guī)格更高的AMB2（高級(jí)內(nèi)存緩沖器）。

面向64位構(gòu)架的DDR3顯然在頻率和速度上擁有更多的優(yōu)勢(shì),此外,由于DDR3所采用的根據(jù)溫度自動(dòng)自刷新、局部自刷新等其它一些功能,在功耗方面DDR3也要出色得多,因此,它可能首先受到移動(dòng)設(shè)備的歡迎,就像最先迎接DDR2內(nèi)存的不是臺(tái)式機(jī)而是服務(wù)器一樣。在CPU外頻提升最迅速的PC臺(tái)式機(jī)領(lǐng)域,DDR3未來也是一片光明。目前Intel預(yù)計(jì)在明年第二季所推出的新芯片-熊湖（Bear Lake）,其將支持DDR3規(guī)格,而AMD也預(yù)計(jì)同時(shí)在K9平臺(tái)上支持DDR2及DDR3兩種規(guī)格�！　�

內(nèi)存異步工作模式包含多種意義,在廣義上凡是內(nèi)存工作頻率與CPU的外頻不一致時(shí)都可以稱為內(nèi)存異步工作模式。首先,最早的內(nèi)存異步工作模式出現(xiàn)在早期的主板芯片組中,可以使內(nèi)存工作在比CPU外頻高33MHz或者低33MHz的模式下（注意只是簡(jiǎn)單相差33MHz）,從而可以提高系統(tǒng)內(nèi)存性能或者使老內(nèi)存繼續(xù)發(fā)揮余熱。其次,在正常的工作模式（CPU不超頻）下,目前不少主板芯片組也支持內(nèi)存異步工作模式,例如Intel 910GL芯片組,僅僅只支持533MHz FSB即133MHz的CPU外頻,但卻可以搭配工作頻率為133MHz的DDR 266、工作頻率為166MHz的DDR 333和工作頻率為200MHz的DDR 400正常工作（注意此時(shí)其CPU外頻133MHz與DDR 400的工作頻率200MHz已經(jīng)相差66MHz了）,只不過搭配不同的內(nèi)存其性能有差異罷了。再次,在CPU超頻的情況下,為了不使內(nèi)存拖CPU超頻能力的后腿,此時(shí)可以調(diào)低內(nèi)存的工作頻率以便于超頻,例如AMD的Socket 939接口的Opteron 144非常容易超頻,不少產(chǎn)品的外頻都可以輕松超上300MHz,而此如果在內(nèi)存同步的工作模式下,此時(shí)內(nèi)存的等效頻率將高達(dá)DDR 600,這顯然是不可能的,為了順利超上300MHz外頻,我們可以在超頻前在主板BIOS中把內(nèi)存設(shè)置為DDR 333或DDR 266,在超上300MHz外頻之后,前者也不過才DDR 500（某些極品內(nèi)存可以達(dá)到）,而后者更是只有DDR 400（完全是正常的標(biāo)準(zhǔn)頻率）,由此可見,正確設(shè)置內(nèi)存異步模式有助于超頻成功。

目前的主板芯片組幾乎都支持內(nèi)存異步,英特爾公司從810系列到目前較新的875系列都支持,而威盛公司則從693芯片組以后全部都提供了此功能。

內(nèi)存容量同硬盤、軟盤等存儲(chǔ)器容量單位都是相同的,它們的基本單位都是字節(jié)（B）,并且：

1024B=1KB=1024字節(jié)=2^10字節(jié)（^代表次方）

1024KB=1MB=1048576字節(jié)=2^20字節(jié)

1024MB=1GB=1073741824字節(jié)=2^30字節(jié)

1024GB=1TB=1099511627776字節(jié)=2^40字節(jié)

1024TB=1PB=1125899906842624字節(jié)=2^50字節(jié)

1024PB=1EB=115 292150 4606846976字節(jié)=2^60字節(jié)

1024EB=1ZB=1180591620717411303424字節(jié)=2^70字節(jié)

1024ZB=1YB=1208925819614629174706176字節(jié)=2^80字節(jié)

內(nèi)存大小

內(nèi)存的種類和運(yùn)行頻率會(huì)對(duì)性能有一定影響,不過相比之下,容量的影響更加大。在其他配置相同的條件下內(nèi)存越大機(jī)器性能也就越高。 內(nèi)存的價(jià)格小幅走低,2011年前后,電腦內(nèi)存的配置越來越大,一般都在1G以上,更有2G、4G、6G內(nèi)存的電腦。

內(nèi)存作為電腦中重要的配件之一,內(nèi)存容量的大小確實(shí)能夠直接關(guān)系到整個(gè)系統(tǒng)的性能。因此,內(nèi)存容量已經(jīng)越來越受到消費(fèi)者的關(guān)注。尤其在目前WIN7操作系統(tǒng)已經(jīng)開始取代XP之時(shí),對(duì)于最新的WIN7操作系統(tǒng),多數(shù)消費(fèi)者都認(rèn)為大容量能讓其內(nèi)存評(píng)分得到提升。

內(nèi)存的工作原理。從功能上理解,我們可以將內(nèi)存看作是內(nèi)存控制器與CPU之間的橋梁,內(nèi)存也就相當(dāng)于“倉庫”。顯然,內(nèi)存的容量決定“倉庫”的大小,而內(nèi)存的速度決定“橋梁”的寬窄,兩者缺一不可,這也就是我們常常說道的“內(nèi)存容量”與“內(nèi)存速度”。

內(nèi)存帶寬的計(jì)算方法并不復(fù)雜,大家可以遵循如下的計(jì)算公式：帶寬=總線寬度×總線頻率×一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)交換的數(shù)據(jù)包個(gè)數(shù)。很明顯,在這些乘數(shù)因子中,每個(gè)都會(huì)對(duì)最終的內(nèi)存帶寬產(chǎn)生極大的影響。在PCMark Vantage測(cè)試中,可以看到2GB和4GB DDR3-1600內(nèi)存性能比較接近,其中2GB內(nèi)存僅在啟動(dòng)一些辦公軟件時(shí)候比較落后,畢竟少了一半容量所以運(yùn)行起來比較吃力。而在3DmarkVantage游戲性能測(cè)試中,我們可以看出在Win7系統(tǒng)下,2GB和4GB內(nèi)存的性能區(qū)別不是很大,成績(jī)非常接近。同時(shí),在WIN7環(huán)境下,2GB內(nèi)存與4GB內(nèi)存差別很小,有些情況下甚至沒有差別,這時(shí)如果想提高內(nèi)存性能,光想著升級(jí)容量意義并不是很大。

內(nèi)存寬帶

基本簡(jiǎn)介

從功能上理解,我們可以將內(nèi)存看作是內(nèi)存控制器（一般位于北橋芯片中）與CPU之間的橋梁或與倉庫。顯然,內(nèi)存的容量決定“倉庫”的大小,而內(nèi)存的帶寬決定“橋梁”的寬窄,兩者缺一不可,這也就是我們常常說道的“內(nèi)存容量”與“內(nèi)存速度”。除了內(nèi)存容量與內(nèi)存速度,延時(shí)周期也是決定其性能的關(guān)鍵。

當(dāng)CPU需要內(nèi)存中的數(shù)據(jù)時(shí),它會(huì)發(fā)出一個(gè)由內(nèi)存控制器所執(zhí)行的要求,內(nèi)存控制器接著將要求發(fā)送至內(nèi)存,并在接收數(shù)據(jù)時(shí)向CPU報(bào)告整個(gè)周期（從CPU到內(nèi)存控制器,內(nèi)存再回到CPU）所需的時(shí)間。毫無疑問,縮短整個(gè)周期也是提高內(nèi)存速度的關(guān)鍵,這就好比在橋梁上工作的警察,其指揮疏通能力也是決定通暢度的因素之一。更快速的內(nèi)存技術(shù)對(duì)整體性能表現(xiàn)有重大的貢獻(xiàn),但是提高內(nèi)存帶寬只是解決方案的一部分,數(shù)據(jù)在CPU以及內(nèi)存間傳送所花的時(shí)間通常比處理器執(zhí)行功能所花的時(shí)間更長,為此緩沖區(qū)被廣泛應(yīng)用。

其實(shí),所謂的緩沖器就是CPU中的一級(jí)緩存與二級(jí)緩存,它們是內(nèi)存這座“大橋梁”與CPU之間的“小橋梁”。事實(shí)上,一級(jí)緩存與二級(jí)緩存采用的是SRAM,我們也可以將其寬泛地理解為“內(nèi)存帶寬”,不過現(xiàn)在似乎更多地被解釋為“前端總線”,所以我們也只是簡(jiǎn)單的提一下。事先預(yù)告一下,“前端總線”與“內(nèi)存帶寬”之間有著密切的聯(lián)系,我們將會(huì)在后面的測(cè)試中有更加深刻的認(rèn)識(shí)。

產(chǎn)品重要性

內(nèi)存帶寬為何會(huì)如此重要呢？在回答這一問題之前,我們先來簡(jiǎn)單看一看系統(tǒng)工作的過程。基本上當(dāng)CPU接收到指令后,它會(huì)最先向CPU中的一級(jí)緩存（L1Cache）去尋找相關(guān)的數(shù)據(jù),雖然一級(jí)緩存是與CPU同頻運(yùn)行的,但是由于容量較小,所以不可能每次都命中。這時(shí)CPU會(huì)繼續(xù)向下一級(jí)的二級(jí)緩存（L2Cache）尋找,同樣的道理,當(dāng)所需要的數(shù)據(jù)在二級(jí)緩存中也沒有的話,會(huì)繼續(xù)轉(zhuǎn)向L3Cache（如果有的話,如K6-2+和K6-3）、內(nèi)存和硬盤。

由于目前系統(tǒng)處理的數(shù)據(jù)量都是相當(dāng)巨大的,因此幾乎每一步操作都得經(jīng)過內(nèi)存,這也是整個(gè)系統(tǒng)中工作最為頻繁的部件。如此一來,內(nèi)存的性能就在一定程度上決定了這個(gè)系統(tǒng)的表現(xiàn),這點(diǎn)在多媒體設(shè)計(jì)軟件和3D游戲中表現(xiàn)得更為明顯。3D顯卡的內(nèi)存帶寬（或許稱為顯存帶寬更為合適）的重要性也是不言而喻的,甚至其作用比系統(tǒng)的內(nèi)存帶寬更為明顯。

大家知道,顯示卡在進(jìn)行像素渲染時(shí),都需要從顯存的不同緩沖區(qū)中讀寫數(shù)據(jù)。這些緩沖區(qū)中有的放置描述像素ARGB（阿爾法通道,紅,綠,藍(lán)）元素的顏色數(shù)據(jù),有的放置像素Z值（用來描述像素的深度或者說可見性的數(shù)據(jù)）。顯然,一旦產(chǎn)生Z軸數(shù)據(jù),顯存的負(fù)擔(dān)會(huì)立即陡然提升,在加上各種材質(zhì)貼圖、深度復(fù)雜性渲染、3D特效.

提高內(nèi)存帶寬

內(nèi)存帶寬的計(jì)算方法并不復(fù)雜,大家可以遵循如下的計(jì)算公式：帶寬=總線寬度×總線頻率×一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)交換的數(shù)據(jù)包個(gè)數(shù)。很明顯,在這些乘數(shù)因子中,每個(gè)都會(huì)對(duì)最終的內(nèi)存帶寬產(chǎn)生極大的影響。然而,如今在頻率上已經(jīng)沒有太大文章可作,畢竟這受到制作工藝的限制,不可能在短時(shí)間內(nèi)成倍提高。而總線寬度和數(shù)據(jù)包個(gè)數(shù)就大不相同了,簡(jiǎn)單的改變會(huì)令內(nèi)存帶寬突飛猛進(jìn)。

DDR技術(shù)就使我們感受到提高數(shù)據(jù)包個(gè)數(shù)的好處,它令內(nèi)存帶寬瘋狂地提升一倍。當(dāng)然,提高數(shù)據(jù)包個(gè)數(shù)的方法不僅僅局限于在內(nèi)存上做文章,通過多個(gè)內(nèi)存控制器并行工作同樣可以起到效果,這也就是如今熱門的雙通道DDR芯片組（如nForce2、I875/865等）。事實(shí)上,雙通道DDR內(nèi)存控制器并不能算是新發(fā)明,因?yàn)樵缭赗AMBUS時(shí)代,RDRAM就已經(jīng)使用了類似技術(shù),只不過當(dāng)時(shí)RDRAM的總線寬度只有16Bit,無法與DDR的64Bit相提并論。

內(nèi)存技術(shù)發(fā)展到如今這一階段,四通道內(nèi)存控制器的出現(xiàn)也只是時(shí)間問題,VIA的QBM技術(shù)以及SiS支持四通道RDRAM的芯片組,這些都是未來的發(fā)展方向。至于顯卡方面,我們對(duì)其顯存帶寬更加敏感,這甚至也是很多廠商用來區(qū)分高低端產(chǎn)品的重要方面。同樣是使用DDR顯存的產(chǎn)品,128Bit寬度的產(chǎn)品會(huì)表現(xiàn)出遠(yuǎn)遠(yuǎn)勝過64Bit寬度的產(chǎn)品。當(dāng)然提高顯存頻率也是一種解決方案,不過其效果并不明顯,而且會(huì)大幅度提高成本。值得注意的是,目前部分高端顯卡甚至動(dòng)用了DDRII技術(shù),不過至少在目前看來,這項(xiàng)技術(shù)還為時(shí)過早。

識(shí)別內(nèi)存帶寬

對(duì)于內(nèi)存而言,辨別內(nèi)存帶寬是一件相當(dāng)簡(jiǎn)單的事情,因?yàn)镾DRAM、DDR、RDRAM這三種內(nèi)存在外觀上有著很大的差別,大家通過下面這副圖就能清楚地認(rèn)識(shí)到。唯一需要我們?nèi)ケ嬲J(rèn)的便是不同頻率的DDR內(nèi)存。目前主流DDR內(nèi)存分為DDR266、DDR333以及DDR400,其中后三位數(shù)字代表工作頻率。通過內(nèi)存條上的標(biāo)識(shí),自然可以很方便地識(shí)別出其規(guī)格。

相對(duì)而言,顯卡上顯存帶寬的識(shí)別就要困難一些。在這里,我們應(yīng)該抓住“顯存位寬”和“顯存頻率”兩個(gè)重要的技術(shù)指標(biāo)。顯存位寬的計(jì)算方法是：?jiǎn)螇K顯存顆粒位寬×顯存顆粒總數(shù),而顯存頻率則是由"1000/顯存顆粒納秒數(shù)"來決定。一般來說,我們可以從顯存顆粒上一串編號(hào)的最后2兩位看出其納秒數(shù),從中也就得知其顯存頻率。至于單塊顯存顆粒位寬,我們只能在網(wǎng)上查詢。HY、三星、EtronTech（鈺創(chuàng)）等都提供專用的顯存編號(hào)查詢網(wǎng)站,相當(dāng)方便。

如三星的顯存就可以到如下的地址下載,只要輸入相應(yīng)的顯存顆粒編號(hào)即可。此外,使用RivaTuner也可以檢測(cè)顯卡上顯存的總位寬,大家打開RivaTuner在MAIN菜單即可看到。

選購方法

產(chǎn)品做工要精良

對(duì)于選擇內(nèi)存來說,最重要的是穩(wěn)定性和性能,而內(nèi)存的做工水平直接會(huì)影響到性能、穩(wěn)定以及超頻。

內(nèi)存顆粒的好壞直接影響到內(nèi)存的性能,可以說也是內(nèi)存最重要的核心元件。所以大家在購買時(shí),盡量選擇大廠生產(chǎn)出來的內(nèi)存顆粒,一般常見的內(nèi)存顆粒廠商有三星、現(xiàn)代、鎂光、南亞、茂矽等,它們都是經(jīng)過完整的生產(chǎn)工序,因此在品質(zhì)上都更有保障。而采用這些頂級(jí)大廠內(nèi)存顆粒的內(nèi)存條品質(zhì)性能,必然會(huì)比其他雜牌內(nèi)存顆粒的產(chǎn)品要高出許多。

內(nèi)存PCB電路板的作用是連接內(nèi)存芯片引腳與主板信號(hào)線,因此其做工好壞直接關(guān)系著系統(tǒng)穩(wěn)定性。目前主流內(nèi)存PCB電路板層數(shù)一般是6層,這類電路板具有良好的電氣性能,可以有效屏蔽信號(hào)干擾。而更優(yōu)秀的高規(guī)格內(nèi)存往往配備了8層PCB電路板,以起到更好的效能。

SPD隱藏信息

SPD信息可以說非常重要,它能夠直觀反映出內(nèi)存的性能及體制。它里面存放著內(nèi)存可以穩(wěn)定工作的指標(biāo)信息以及產(chǎn)品的生產(chǎn),廠家等信息。不過,由于每個(gè)廠商都能對(duì)SPD進(jìn)行隨意修改,因此很多雜牌內(nèi)存廠商會(huì)將SPD參數(shù)進(jìn)行修改或者直接COPY名牌產(chǎn)品的SPD,但是一旦上機(jī)用軟件檢測(cè)就會(huì)原形畢露。

因此,大家在購買內(nèi)存以后,回去用常用的Everest、CPU-Z等軟件一查即可明白。不過需要注意的是,對(duì)于大品牌內(nèi)存來說SPD參數(shù)是非常重要的,但是對(duì)于雜牌內(nèi)存來說,SPD的信息并不值得完全相信。

假冒或返修產(chǎn)品

目前有一些內(nèi)存往往使用了不同品牌、型號(hào)的內(nèi)存顆粒,大家一眼就可以看出區(qū)別。同時(shí)有些無孔不入的JS也會(huì)采用打磨內(nèi)存顆粒的作假手段,然后再加印上新的編號(hào)參數(shù)。不過仔細(xì)觀察,就會(huì)發(fā)現(xiàn)打磨過后的芯片比較暗淡無光,有起毛的感覺,而且加印上的字跡模糊不清晰。這些一般都是假冒的內(nèi)存產(chǎn)品,需要注意。

此外,大家還要觀察PCB電路板是否整潔,有無毛刺等等,金手指是否很明顯有經(jīng)過插拔所留下的痕跡,如果有,則很有可能是返修內(nèi)存產(chǎn)品（當(dāng)然也不排除有廠家出廠前經(jīng)過測(cè)試,不過比較少數(shù)）。需要提醒大家的是,返修和假冒內(nèi)存無論多么便宜都不值得購買,因?yàn)槠浒踩�隱患十分嚴(yán)重。

增加內(nèi)存方法

解決方法一：

內(nèi)存對(duì)臺(tái)式機(jī)整體性能的影響眾所周知,而筆記本電腦其內(nèi)存多數(shù)采用共享方式同時(shí)負(fù)擔(dān)內(nèi)存、顯存等存儲(chǔ)功能,所以相比之下筆記本電腦內(nèi)存對(duì)于整機(jī)性能的影響更為顯著。
內(nèi)存
內(nèi)存

隨著軟件容量的不斷增大,版本的不斷升級(jí),同時(shí)也對(duì)系統(tǒng)性能提出了更高的要求,過去筆記本電腦主流的1G內(nèi)存配置越來越不能滿足我們的需求,尤其是進(jìn)行圖像處理時(shí)甚至?xí)�出現(xiàn)內(nèi)存不足的情況。所以,升級(jí)內(nèi)存顯得很有必要。

解決方法二：

1、體積

由于筆記本電腦整合性高,設(shè)計(jì)精密,所以在相同容量下盡量選擇體積相對(duì)較小的內(nèi)存條,這樣減少了在插入內(nèi)存時(shí)與其它配件碰撞的機(jī)會(huì),而且體積較小的內(nèi)存能很好地避免配件之間的電磁干擾,也更有利于散熱,從而保證了筆記本電腦的穩(wěn)定運(yùn)行。

2、容量

出于追求體積小巧的考慮,筆記本電腦的內(nèi)存插槽是有限的,大部分筆記本電腦都有兩個(gè)144線的DIMM插槽,升級(jí)的空間比較有限,為了避免今后內(nèi)存容量成為影響性能的瓶頸,建議盡量選擇單條容量較大的內(nèi)存,另外芯片數(shù)目較少的內(nèi)存在工作狀態(tài)下的發(fā)熱量也較低。

解決方法三：

現(xiàn)在內(nèi)存已經(jīng)發(fā)展了很多代,主流的內(nèi)存都是DD3了,如果你要加內(nèi)存,那么需要的和你電腦上一樣的型號(hào),要不然是無法匹配。

由于內(nèi)存條原因出現(xiàn)此類故障一般是因?yàn)閮?nèi)存條與主板內(nèi)存插槽接觸不良造成,只要用橡皮擦來回擦試其金手指部位即可解決問題（不要用酒精等清洗）,還有就是內(nèi)存損壞或主板內(nèi)存槽有問題也會(huì)造成此類故障。

由于內(nèi)存條原因造成開機(jī)無顯示故障,主機(jī)揚(yáng)聲器一般都會(huì)長時(shí)間蜂鳴（針對(duì)Award Bios而言）

二、windows系統(tǒng)運(yùn)行不穩(wěn)定,經(jīng)常產(chǎn)生非法錯(cuò)誤

出現(xiàn)此類故障一般是由于內(nèi)存芯片質(zhì)量不良或軟件原因引起,如若確定是內(nèi)存條原因只有更換一途。

三、windows注冊(cè)表經(jīng)常無故損壞,提示要求用戶恢復(fù)

此類故障一般都是因?yàn)閮?nèi)存條質(zhì)量不佳引起,很難予以修復(fù),唯有更換一途。

四、windows經(jīng)常自動(dòng)進(jìn)入安全模式

此類故障一般是由于主板與內(nèi)存條不兼容或內(nèi)存條質(zhì)量不佳引起,常見于PC133內(nèi)存用于某些不支持PC133內(nèi)存條的主板上,可以嘗試在CMOS設(shè)置內(nèi)降低內(nèi)存讀取速度看能否解決問題,如若不行,那就只有更換內(nèi)存條了。

五、隨機(jī)性死機(jī)

此類故障一般是由于采用了幾種不同芯片的內(nèi)存條,由于各內(nèi)存條速度不同產(chǎn)生一個(gè)時(shí)間差從而導(dǎo)致死機(jī),對(duì)此可以在CMOS設(shè)置內(nèi)降低內(nèi)存速度予以解決,否則,唯有使用同型號(hào)內(nèi)存。還有一種可能就是內(nèi)存條與主板不兼容,此類現(xiàn)象一般少見,另外也有可能是內(nèi)存條與主板接觸不良引起電腦隨機(jī)性死機(jī),此類現(xiàn)象倒是比較常見。

六、內(nèi)存加大后系統(tǒng)資源反而降低

此類現(xiàn)象一般是由于主板與內(nèi)存不兼容引起,常見于PC133內(nèi)存條用于某些不支持PC133內(nèi)存條的主板上,即使系統(tǒng)重裝也不能解決問題。

七、windows啟動(dòng)時(shí),在載入高端內(nèi)存文件himem.sys時(shí)系統(tǒng)提示某些地址有問題

此問題一般是由于內(nèi)存條的某些芯片損壞造成,解決方法可參見下面內(nèi)存維修一法。

八、運(yùn)行某些軟件時(shí)經(jīng)常出現(xiàn)內(nèi)存不足的提示

此現(xiàn)象一般是由于系統(tǒng)盤剩余空間不足造成,可以刪除一些無用文件,多留一些空間即可,一般保持在300M左右為宜。

九、從硬盤引導(dǎo)安裝windows進(jìn)行到檢測(cè)磁盤空間時(shí),系統(tǒng)提示內(nèi)存不足

此類故障一般是由于用戶在config.sys文件中加入了emm386.exe文件,只要將其屏蔽掉即可解決問題。

十、安裝windows進(jìn)行到系統(tǒng)配置時(shí)產(chǎn)生一個(gè)非法錯(cuò)誤

此類故障一般是由于內(nèi)存條損壞造成,可以按內(nèi)存維修一法來解決,如若不行,那就只有更換內(nèi)存條了。

十一、啟動(dòng)windows時(shí)系統(tǒng)多次自動(dòng)重新啟動(dòng)

此類故障一般是由于內(nèi)存條或電源質(zhì)量有問題造成,當(dāng)然,系統(tǒng)重新啟動(dòng)還有可能是CPU散熱不良或其他人為故障造成,對(duì)此,唯有用排除法一步一步排除。

十二、內(nèi)存維修一法

出現(xiàn)上面幾種故障后,倘若內(nèi)存損壞或芯片質(zhì)量不行,如條件不允許可以用烙鐵將內(nèi)存一邊的各芯片卸下,看能否解決問題,如若不行再換卸另一邊的芯片,直到成功為止（如此焊工只怕要維修手機(jī)的人方可達(dá)到）。當(dāng)然,有條件用示波器檢測(cè)那就事半功倍了）,采用此法后,因?yàn)橐褜��?nèi)存的一邊芯片卸下,所以內(nèi)存只有一半可用,例如,64M還有32M可用,為此,對(duì)于小容量?jī)?nèi)存就沒有維修的必要了。

電腦內(nèi)存六大故障

故障一：

內(nèi)存條與主板插槽接觸不良,故障表現(xiàn)為：打開主機(jī)電源后屏幕顯示“Error ：Unable to ControlA20 Line ”出錯(cuò)信息后死機(jī)。

解決方法：仔細(xì)檢查內(nèi)存條是否與插槽保持良好接觸或更換內(nèi)存條。
電腦內(nèi)存
電腦內(nèi)存

故障二：

開機(jī)自檢,在DOS狀態(tài)下運(yùn)行應(yīng)用程序,占用的內(nèi)存地址沖突導(dǎo)致內(nèi)存分配錯(cuò)誤,屏幕出現(xiàn)“Memory A11ocationError”提示。

解決方法：Confis.sys文件中沒有用Himem.sys 、Emm386.exe等內(nèi)存治理文件設(shè)置Xms.ems 內(nèi)存或者設(shè)置不當(dāng),使得系統(tǒng)僅能使用640KB 基本內(nèi)存,運(yùn)行的程序稍大便出現(xiàn)“Out of Memory ”(內(nèi)存不足)的提示,無法操縱。這些現(xiàn)象均屬軟故障,編寫好系統(tǒng)配置文件Config.sys后重新啟動(dòng)xp系統(tǒng)即可。

故障三：

Windows 系統(tǒng)中運(yùn)行的應(yīng)用程序非法訪問內(nèi)存、內(nèi)存中駐留了太多應(yīng)用程序、活動(dòng)窗口打開太多、應(yīng)用程序相關(guān)配置文件不公道等原因均能導(dǎo)致屏幕出現(xiàn)很多有關(guān)內(nèi)存出錯(cuò)的信息。

解決方法：此類故障必須采用清除內(nèi)存駐留程序、減少活動(dòng)窗口、調(diào)整配置文件(INI ),重裝系統(tǒng)和應(yīng)用程序等辦法來處理。

故障四：

Windows 系統(tǒng)中運(yùn)行DOS狀態(tài)下的應(yīng)用軟件(如DOS 下運(yùn)行的游戲軟件等)時(shí),因軟件之間分配、占用內(nèi)存沖突出現(xiàn)黑屏、花屏、死機(jī)現(xiàn)象。

解決辦法：退出Windows 系統(tǒng),進(jìn)進(jìn)DOS 狀態(tài),再運(yùn)行應(yīng)用程序。

故障五：

程序有病毒,病毒程序駐留內(nèi)存、CMOS參數(shù)中內(nèi)存值的大小被病毒修改,將導(dǎo)致內(nèi)存值與內(nèi)存條實(shí)際內(nèi)存大小不符、內(nèi)存工作異常等現(xiàn)象。

解決辦法：采用殺毒軟件消除病毒;CMOS中參數(shù)被病毒修改,先將CMOS短接放電,重新啟動(dòng)機(jī)器,進(jìn)進(jìn)CMOS后仔細(xì)檢查各項(xiàng)硬件參數(shù),正確設(shè)置有關(guān)內(nèi)存的參數(shù)值。

故障六：

電腦升級(jí)進(jìn)行內(nèi)存擴(kuò)充,選擇了與主板不兼容的內(nèi)存條。

解決方法：先升級(jí)主板的BIOS,看看是否能解決,否則只能更換內(nèi)存條。