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鈦靶,鈦濺射靶；應用于裝飾和功能 鍍膜工業(yè)、平面顯示工業(yè)、光數(shù)據(jù)存儲工業(yè) （光盤工業(yè)）光通訊工業(yè)、玻璃鍍膜（建筑 玻璃和汽車玻璃）工業(yè)等行業(yè).純度是靶材的主要性能指標之,因為靶材的純度對薄膜的性能影響很大。靶材的主要性能要求:純度純度是靶材的主要性能指標之,因為靶材的純度對薄膜的性能影響很

靶材的主要性能要求:

純度

純度是靶材的主要性能指標之一,因為靶材的純度對薄膜的性能影響很大。不過在實際應用中,對靶材的純度要求也不盡相同。例如,隨著微電子行業(yè)的迅速發(fā)展,硅片尺寸由6", 8"發(fā)展到12", 而布線寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um甚至0.13um,以前99.995％的靶材純度可以滿足0.35umic的工藝要求,而制備0.18um線條對靶材純度則要求99.999％甚至99.9999％。

雜質含量

靶材固體中的雜質和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。不同用途的靶材對不同雜質含量的要求也不同。例如,半導體工業(yè)用的純鋁及鋁合金靶材,對堿 金屬含量和放射性元素 含量都有特殊要求。

密度

為了減少靶材固體中的氣孔,提高濺射薄膜的性能,通常要求靶材具有較高的密度。靶材的密度不僅影響濺射速率,還影響著薄膜的電學和光學性能。靶材密度越高,薄膜的性能越好。此外,提高靶材的密度和強度使靶材能更好地承受濺射過程中的熱應力。密度也是靶材的關鍵性能指標之一。

晶粒尺寸及晶粒尺寸分布

通常靶材為多晶結構,晶粒大小可由微米到毫米量級。對于同一種靶材,晶粒細小的靶的濺射速率比晶粒粗大的靶的濺射速率快;而晶粒尺寸相差較小(分布均勻)的靶濺射沉積的薄膜的厚度分布更均勻。