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功率器件分析儀功率半導體測試設備認準武漢生產廠家普賽斯儀表,普賽斯以自主研發(fā)為導向,深耕半導體測試領域,在i-v測試上積累了豐富的經驗,先后推出了直流源表,脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測單元等測試設備,廣泛應用于廣泛應用于半導體測試行業(yè)； 本功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)可以完成多項參數(shù)測試,如ices、igesf、igesr、bvces、vgeth、vcesat、vf等。

 功率器件靜態(tài)測試系統(tǒng)簡介  普賽斯pmst功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),集多種測量和分析功能一體,可以精準測量不同封裝類型功率器件（如mosfet、bjt、igbt以及sic、gan第三代半導體等）的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大 電流特性、μω級j確測量、na級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容,如輸入電容、輸出電容  、反向傳輸電容等。  普賽斯pmst功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)配置有多種測量單元模塊,模塊化的設計測試方法       靈活,方便用戶添加或升級測量模塊,適應測量功率器件不斷變化的需求。

系統(tǒng)組成 

普賽斯pmst功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),主要包括測試主機、測試線、測試夾具、電腦、上位機軟件,以及相關通訊、測試配件等構成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測試主機,內置多種規(guī)格電壓、電流、電容測量單元模塊。結合專用上位機測試軟件,可根據(jù)測試項目需要,設置不同的電壓、電流等參數(shù),以滿足不同測試需求。測試數(shù)據(jù)可保存與導出,并可生成i-v以及c-v特性曲線。此外,測試主機可與探針臺搭配使用,實現(xiàn)晶圓級芯片測試；也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用,滿足高低溫測試需求。 測試主機內部采用的電壓、電流測量單元,均采用多量程設計,測試精度為0.1％。其中,柵極-發(fā)射極,最 大 支持30v@10a脈沖電流輸出與測試,可測試低至pa級漏電流；集電極-發(fā)射極,最 大 支持6000a高速脈沖電流,典型上升時間為15μs,且具備電壓高速同步采樣功能；最 高支持3500v電壓輸出,且自帶漏電流測量功能。電容特性測試,包括輸入電容,輸出電容,以及反向傳輸電容測試,頻率最 高支持1mhz。   

系統(tǒng)特點 

高電壓：支持高達3.5kv高電壓測試（z大 擴展至10kv）；        

大 電流：支持高達6ka大 電流測試（多模塊并聯(lián)）；

高精度：支持uω級導通電阻、na級漏電流測試；

豐富模板：內置豐富的測試模板,方便用戶快速配置測試參數(shù)；

配置導出：支持一鍵導出參數(shù)配置及一鍵啟動測試功能；

數(shù)據(jù)預覽及導出：支持圖形界面以及表格展示測試結果,亦可一鍵導出；

模塊化設計：內部采用模塊化結構設計,可自由配置,方便維護；

可拓展：支持拓展溫控功能,方便監(jiān)控系統(tǒng)運行溫度；

可定制開發(fā)：可根據(jù)用戶測試場景定制化開發(fā)；

測試項目

集電極-發(fā)射極電壓vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓v(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓vcesat

集電極截止電流ices、柵極漏電流iges

柵極-發(fā)射極電壓vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓vge(th)

輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容            

續(xù)流二極管壓降vf

i-v特性曲線掃描,c-v特性曲線掃描等