驍龍835首次將移動平臺帶入10納米新世代,讓移動平臺兼有低功耗與高性能計算的特性,而高通、三星并未放緩IC設(shè)計和制程迭代的速度。

　　據(jù)韓媒Aju Business Daily報道,高通正和三星半導體S.LSI部門開發(fā)新一代移動芯片,將用于明年旗艦機Galaxy S9之上,該處理器平臺很有可能被命名為驍龍845。

　　4月19日,三星半導體宣布其第二代10nm FinFET工藝——10LPP（Low Power Plus）即將投產(chǎn)。隨著3D FinFET結(jié)構(gòu)的進一步增強,與相同面積的第一代10LPE（Low Power Early）相比,10LPP工藝最高可以提升10%的性能或降低15%的功耗。

　　有分析認為,驍龍845很可能使用比10nm更激進的工藝制造,理由是三星半導體在3月15日宣布將8nm和6nm制程添加到產(chǎn)品路線規(guī)劃中（roadmap）。預計新制程將在2018年初量產(chǎn),符合驍龍845的上市節(jié)點。

　　高通和三星半導體已有長達十年的戰(zhàn)略代工合作,不過雙方未來的合作關(guān)系并不如想象中那般明朗。據(jù)知名爆料人士@i冰宇宙消息,高通和三星代工合作驍龍845為止就告一段落了。
　　　　
　　移動平臺的未來將何去何從呢？對于消費者而言一切都是未知數(shù),驚喜背后源自于核心硬件的突破,始終讓人葆有期待。