三星最近開始對其32 Gb容量的DDR4內(nèi)存芯片進行出樣,提升存儲密度后的新產(chǎn)品將有助于DRAM封裝廠更容易進行高容量存儲器模塊的生產(chǎn)。三星的32 Gb A-die DDR4-2666芯片由兩個堆疊的16 Gb DDR4裸片組成,采用該公司的10納米級工藝技術生產(chǎn)。

　　三星提供兩種版本的32 Gb DDR4封裝：一種采用2G x8結構,另一種采用1G x16結構。前者被存儲器控制器視為兩個DRAM存儲器設備,而后者被視為一個設備。 DDP（雙芯片封裝）采用標準78或96球FBGA外形尺寸,使用1.2V的工業(yè)標準電壓。

　　JEDEC的DDR4規(guī)范僅描述了4 Gb,8 Gb和16 Gb內(nèi)存設備。因此,DRAM制造商必須使用更先進的封裝技術為服務器或工作站的高容量存儲器模塊構建芯片。 DDP不是特別新的東西,但32 Gb DDR4-2666 DDP是三星獨有的。

　　32 Gb DDR4內(nèi)存芯片將使模塊和PC制造商能夠使用更少的DRAM芯片,為需要高內(nèi)存密度或小外形尺寸的應用構建高容量解決方案。顯然,雙列內(nèi)存模塊仍然需要內(nèi)存控制器的支持,但至少使用這些芯片構建高容量內(nèi)存子系統(tǒng)會更容易。

　　三星沒有透露其32 Gb DDR4-2666 DDP的定價,但很明顯它們將以比較高的價格出售,因為它們只能從三星獲得,而且它們比SDP更難建造。