隨著紫光、合肥長鑫正式進軍DRAM內(nèi)存行業(yè),國產(chǎn)自主的DRAM芯片未來也會迎來一波爆發(fā)。除此之外,紫光旗下的西安國芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā),他們將在集邦科技的2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會上公開展示自研的內(nèi)存,包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。

　　西安紫光國芯是紫光國微（原來也叫紫光國芯,后來改名為紫光國微）,前身是西安華芯,是奇夢達公司的遺產(chǎn),2009年被浪潮收購,2015年又被紫光納入旗下。此前該公司在投資者平臺上表示具備世界級的DDR內(nèi)存設(shè)計能力,但沒有生產(chǎn)能力,無法大規(guī)模量產(chǎn)。

　　西安國芯之前表示今年底完成DDR4內(nèi)存研發(fā)并推向市場,在2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會亮相應(yīng)該意味著他們的DDR4內(nèi)存芯片已經(jīng)完成,開始市場推廣了。

　　根據(jù)集邦科技的信息,西安紫光國芯將展出從顆粒到模組全系列的內(nèi)存產(chǎn)品,包括DDR、DDR2、DDR3、DDR4、LPDDR4 DRAM顆粒,SO-DIMM、U-DIMM、R-DIMM、NVDIMM模組產(chǎn)品,和世界首款商用內(nèi)嵌自糾錯DRAM,即ECC DRAM產(chǎn)品。

　　圖1 西安紫光國芯的DDR4 DRAM顆粒

　　圖2 西安紫光國芯的LPDDR4顆粒

　　圖3 西安紫光國芯的DDR3 ECC DRAM顆粒

　　上面幾款DDR4及DDR3顆粒還只有封裝信息圖,沒有具體實物,只能等展會上再說了。

　　下面的幾個是西安國芯的內(nèi)存條,其中有筆記本版的SO-DIMM規(guī)格,也有服務(wù)器版的R-DIMM規(guī)格,還有桌面版的U-DIMM規(guī)格。
　　圖4 西安紫光國芯的SO-DIMM內(nèi)存模組,單條4GB

　　圖5 西安紫光國芯的U-DIMM內(nèi)存模組,單條容量8GB,頻率2666MHz

　　圖6 西安紫光國芯的R-DIMM內(nèi)存模組,單條容量16GB,DDR4-2666頻率

　　圖7 西安紫光國芯的NVDIMM內(nèi)存模組,容量也是16GB,頻率2666MHz

　　集邦科技表示,西安紫光國芯一直專注于存儲器領(lǐng)域,尤其是DRAM存儲器的研發(fā)和技術(shù)積累。該公司在DRAM產(chǎn)品定義、設(shè)計、測試、量產(chǎn)和銷售上建立了完整成熟的體系,累計二十余款芯片產(chǎn)品和四十余款模組產(chǎn)品,實現(xiàn)了全球的量產(chǎn)和銷售。