11月11日,第一財(cái)經(jīng)記者從美國(guó)加利福尼亞北區(qū)法院公布的信息了解到,長(zhǎng)江存儲(chǔ)已于11月9日起訴美光科技有限公司（下稱“美光”）及全資子公司美光消費(fèi)產(chǎn)品集團(tuán)有限責(zé)任公司侵犯其8項(xiàng)美國(guó)專利。長(zhǎng)江存儲(chǔ)在專利侵權(quán)起訴書中稱,訴訟是為了終止美光廣泛且未經(jīng)授權(quán)使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)專利創(chuàng)新。

      長(zhǎng)江存儲(chǔ)是國(guó)內(nèi)最大的3D NAND Flash（閃存芯片制造）廠商。長(zhǎng)江存儲(chǔ)在起訴書中提到,美光使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利技術(shù),以抵御來(lái)自長(zhǎng)江存儲(chǔ)的競(jìng)爭(zhēng),并獲得和保護(hù)市場(chǎng)份額。訴訟旨在解決以下問(wèn)題的一個(gè)方面：美光試圖通過(guò)迫使長(zhǎng)江存儲(chǔ)退出3D NAND Flash（閃存）市場(chǎng)來(lái)阻止競(jìng)爭(zhēng)和創(chuàng)新。

      長(zhǎng)江存儲(chǔ)指控美光侵犯了美國(guó)專利號(hào)為“10,950,623”“11,501,822”“10,658,378”“10,937,806”“10,861,872”“11,468,957”“11,600,342”和“10,868,031”的專利。美光被控侵權(quán)的產(chǎn)品包括96層、128層、176層和232層3D NAND產(chǎn)品。

      長(zhǎng)江存儲(chǔ)在以上起訴書中稱,長(zhǎng)江存儲(chǔ)不再是新秀（upstart）,而已成為全球3D NAND市場(chǎng)的重要參與者。長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示,去年11月,分析和跟蹤閃存市場(chǎng)的TechInsights公司得出結(jié)論：長(zhǎng)江存儲(chǔ)是3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,超過(guò)了美光。

NAND Flash和DRAM是目前最主要的兩種存儲(chǔ)介質(zhì),NAND Flash可制造SSD（固態(tài)硬盤）等存儲(chǔ)器,用于手機(jī)、服務(wù)器、PC等產(chǎn)品。集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示,今年第二季度,全球NAND Flash品牌廠商中,三星、鎧俠、SK Group、西部數(shù)據(jù)、美光的市占率分別為31.1%、19.6%、17.8%、14.7%和13%,其他廠商占比僅3.8%。

      2018年,長(zhǎng)江存儲(chǔ)量產(chǎn)第一代32層3D NAND Flash芯片,2019年量產(chǎn)64層256Gb TLC 3D NAND閃存,2020年跳過(guò)96層研發(fā)兩款128層閃存產(chǎn)品。長(zhǎng)江存儲(chǔ)此前還推動(dòng)擴(kuò)產(chǎn)。集邦咨詢分析稱,2022年第三季度,受長(zhǎng)江存儲(chǔ)擴(kuò)大筆電Client SSD出貨等影響,價(jià)格戰(zhàn)日益激烈,原廠不得不拉大議價(jià)空間,吸引客戶提高訂單數(shù)量。

      2022年10月,美國(guó)商務(wù)部工業(yè)和安全局發(fā)布出口管制新規(guī),限制對(duì)中國(guó)出口芯片制造設(shè)備等,將長(zhǎng)江存儲(chǔ)NAND Flash芯片層數(shù)卡在已量產(chǎn)的最新工藝上。當(dāng)年12月,美國(guó)又將長(zhǎng)江存儲(chǔ)納入出口管制“實(shí)體清單”。

      除NAND Flash外,美光也是主要的DRAM生產(chǎn)商之一。2016年,生產(chǎn)DRAM的另一大存儲(chǔ)芯片廠商福建晉華與聯(lián)電簽署技術(shù)合作協(xié)議,開(kāi)發(fā)DRAM相關(guān)制程技術(shù),在福建晉江投資56.5億美元建設(shè)一條12英寸晶圓廠生產(chǎn)線。2017年,美光在美國(guó)起訴晉華與聯(lián)電,稱晉華員工竊取其知識(shí)產(chǎn)權(quán)交給晉華。2018年,美國(guó)商務(wù)部又將晉華列入出口管制“實(shí)體清單”。