“美國(guó)擬對(duì)中企禁售NAND閃存設(shè)備,韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)或‘躺槍’”,韓國(guó)《亞洲經(jīng)濟(jì)》8月2日的報(bào)道稱(chēng),美國(guó)繼對(duì)華禁售14納米以下光刻機(jī)等半導(dǎo)體設(shè)備后,正在考慮限制向中國(guó)存儲(chǔ)半導(dǎo)體制造商出口美國(guó)半導(dǎo)體制造設(shè)備,三星電子和SK海力士等韓國(guó)半導(dǎo)體大廠或因此蒙受損失。

　　報(bào)道稱(chēng),美方此次計(jì)劃禁止對(duì)華銷(xiāo)售用于制造128層堆疊以上的NAND閃存芯片設(shè)備,限制對(duì)象包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)等,目前尚處于初步討論階段,暫無(wú)起草計(jì)劃。目前生產(chǎn)制造128層堆疊以上的NAND閃存芯片設(shè)備包括美國(guó)的應(yīng)用材料公司和泛林集團(tuán)等企業(yè)。若這項(xiàng)限制計(jì)劃最終獲批,將是美方首次通過(guò)出口管制來(lái)限制中國(guó)生產(chǎn)非軍事用途的存儲(chǔ)芯片。

　　有專(zhuān)家認(rèn)為,這項(xiàng)計(jì)劃最大的受害者有可能是韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),尤其是三星電子和SK海力士。目前三星電子在西安和蘇州建有兩座NAND閃存芯片工廠,SK海力士則在無(wú)錫、重慶和大連建有生產(chǎn)線。SK海力士此前完成收購(gòu)英特爾在中國(guó)的NAND閃存芯片制造業(yè)務(wù)。若美方此次計(jì)劃獲批,美國(guó)芯片設(shè)備將被禁止運(yùn)往這兩家韓企位于中國(guó)的工廠。資料顯示,成立于2016年的長(zhǎng)江存儲(chǔ)已成功量產(chǎn)128層NAND閃存芯片,并有傳聞稱(chēng)最快可能于2022年年底量產(chǎn)232層NAND閃存芯片。美國(guó)白宮在去年6月發(fā)布的一份報(bào)告中指出,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的擴(kuò)張戰(zhàn)略對(duì)美光科技、西部數(shù)據(jù)等美國(guó)企業(yè)構(gòu)成“直接威脅”。