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成的cmp漿料。產(chǎn)品分別適用于鋁合金鏡面拋光，不銹鋼鏡面拋光，大理石和石材精拋工藝。

主要特點(diǎn)

jc-00系列產(chǎn)品具有表面張力低、易清洗、拋光速率高、拋光鏡面粗糙度低等特點(diǎn)，非常適用于不銹鋼的拋光工藝。直接效果達(dá)到不銹鋼鏡面的光線散射減弱，成像更清晰；水紋現(xiàn)象減弱或消除；本品具拋光及鈍化功能，適用于對不銹鋼表面要求高度鏡面效果的產(chǎn)品。在拋光中根據(jù)需要可以優(yōu)化不同配比，均能達(dá)到最佳使用效果。

jc-00系列產(chǎn)品綜合了化學(xué)和機(jī)械拋光的優(yōu)勢：單純的化學(xué)拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，完美性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機(jī)械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深�；瘜W(xué)機(jī)械拋光可以獲得較為完美的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個(gè)數(shù)量級，是目前能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的唯一有效方法。

主要用途

jc-005h主要應(yīng)用于不銹鋼的拋光工藝中。

jc-003h主要用于鋁合金鏡面拋光工藝；

jc-001h主要用于大理石精拋工藝；

基本參數(shù):

ph值 8.5～9.5

比重 1.280-1.295

粘度（稀釋后）< 10.0(mpa.s)

磨料粒徑 100～120(nm)

磨料濃度 40±2％

使用方法

根據(jù)工藝將拋光原漿料按一定比例與去離子水混合后使用；根據(jù)拋光設(shè)備和拋光切削度合理使用拋光液濃度。

運(yùn)輸及保存

1、運(yùn)輸與存放過程中要避免光直射。

2、運(yùn)輸與存放溫度為5℃～50℃。

3、保質(zhì)期一年，建議半年內(nèi)使用。

包裝規(guī)格 25kg/桶

化學(xué)機(jī)械拋光

這兩個(gè)概念主要出現(xiàn)在半導(dǎo)體加工過程中，最初的半導(dǎo)體基片（襯底片）拋光沿用機(jī)械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是及其嚴(yán)重的。直到60年代末，一種新的拋光技術(shù)——化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)（cmp chemical mechanical polishing ）取代了舊的方法。cmp技術(shù)綜合了化學(xué)和機(jī)械拋光的優(yōu)勢：單純的化學(xué)拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，完美性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機(jī)械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深�；瘜W(xué)機(jī)械拋光可以獲得較為完美的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個(gè)數(shù)量級，是目前能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的唯一有效方法。

制作步驟

依據(jù)機(jī)械加工原理、半導(dǎo)體材料工程學(xué)、物力化學(xué)多相反應(yīng)多相催化理論、表面工程學(xué)、半導(dǎo)體化學(xué)基礎(chǔ)理論等，對硅單晶片化學(xué)機(jī)械拋光（cmp）機(jī)理、動力學(xué)控制過程和影響因素  研究標(biāo)明，化學(xué)機(jī)械拋光是一個(gè)復(fù)雜的多相反應(yīng)，它存在著兩個(gè)動力學(xué)過程：

（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑  、催化劑  等與襯底片表面的硅原子在表面進(jìn)行氧化還原的動力學(xué)過程。這是化學(xué)反應(yīng)的主體。

（2）拋光表面反應(yīng)物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應(yīng)的硅單晶重新裸露出來的動力學(xué)過程。它是控制拋光速率的另一個(gè)重要過程。

硅片的化學(xué)機(jī)械拋光過程是以化學(xué)反應(yīng)為主的機(jī)械拋光過程，要獲得質(zhì)量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學(xué)腐蝕作用與機(jī)械磨削作用達(dá)到一種平衡。如果化學(xué)腐蝕作用大于機(jī)械拋光作用，則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機(jī)械磨削作用大于化學(xué)腐蝕作用，則表面產(chǎn)生高損傷層。