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主要用途

jc-005h主要應(yīng)用于不銹鋼的拋光工藝中。

jc-003h主要用于鋁合金鏡面拋光工藝；

jc-001h主要用于大理石精拋工藝；

基本參數(shù):

ph值 8.5～9.5

比重 1.280-1.295

粘度（稀釋后）< 10.0(mpa.s)

磨料粒徑 100～120(nm)

磨料濃度 40±2％

使用方法

根據(jù)工藝將拋光原漿料按一定比例與去離子水混合后使用；根據(jù)拋光設(shè)備和拋光切削度合理使用拋光液濃度。

運(yùn)輸及保存

1、運(yùn)輸與存放過(guò)程中要避免光直射。

2、運(yùn)輸與存放溫度為5℃～50℃。

3、保質(zhì)期一年，建議半年內(nèi)使用。

包裝規(guī)格 25kg/桶

化學(xué)機(jī)械拋光

這兩個(gè)概念主要出現(xiàn)在半導(dǎo)體加工過(guò)程中，最初的半導(dǎo)體基片（襯底片）拋光沿用機(jī)械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是及其嚴(yán)重的。直到60年代末，一種新的拋光技術(shù)——化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)（cmp chemical mechanical polishing ）取代了舊的方法。cmp技術(shù)綜合了化學(xué)和機(jī)械拋光的優(yōu)勢(shì)：?jiǎn)渭兊幕瘜W(xué)拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，完美性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機(jī)械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深�；瘜W(xué)機(jī)械拋光可以獲得較為完美的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個(gè)數(shù)量級(jí)，是目前能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的唯一有效方法。

制作步驟

依據(jù)機(jī)械加工原理、半導(dǎo)體材料工程學(xué)、物力化學(xué)多相反應(yīng)多相催化理論、表面工程學(xué)、半導(dǎo)體化學(xué)基礎(chǔ)理論等，對(duì)硅單晶片化學(xué)機(jī)械拋光（cmp）機(jī)理、動(dòng)力學(xué)控制過(guò)程和影響因素  研究標(biāo)明，化學(xué)機(jī)械拋光是一個(gè)復(fù)雜的多相反應(yīng)，它存在著兩個(gè)動(dòng)力學(xué)過(guò)程：" >這兩個(gè)概念主要出現(xiàn)在半導(dǎo)體加工過(guò)程中，最初的半導(dǎo)體基片（襯底片）拋光沿用機(jī)械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是及其嚴(yán)重的。直到60年代末，一種新的拋光技術(shù)——化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)（cmp chemical mechanical polishing ）取代了舊的方法。cmp技術(shù)綜合了化學(xué)和機(jī)械拋光的優(yōu)勢(shì)：?jiǎn)渭兊幕瘜W(xué)拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，完美性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機(jī)械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深�；瘜W(xué)機(jī)械拋光可以獲得較為完美的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個(gè)數(shù)量級(jí)，是目前能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的唯一有效方法。

制作步驟

依據(jù)機(jī)械加工原理、半導(dǎo)體材料工程學(xué)、物力化學(xué)多相反應(yīng)多相催化理論、表面工程學(xué)、半