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西安 智盈 dbc-112 可控硅靜態(tài)參數(shù)測(cè)試臺(tái)

一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介該測(cè)試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗(yàn)測(cè)試中不可缺少的測(cè)試設(shè)備。該套測(cè)試設(shè)備主要有以下幾個(gè)單元組成：1)門極觸發(fā)參數(shù)測(cè)試單元2)維持電流測(cè)試單元3)阻斷參數(shù)測(cè)試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測(cè)試單元5)電壓上升率參數(shù)測(cè)試單元6)擎住電流7)門極電阻8)計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)9)合格證標(biāo)簽 打印10)夾具單元；包含平板夾具和模塊夾具

二、技術(shù)條件主要技術(shù)指標(biāo)：2.1 門極觸發(fā)電壓/門極觸發(fā)電流測(cè)試單元igt/vgt1.陽極電壓：12v;2.陽極串聯(lián)電阻：6ω;3.門極觸發(fā)電壓：0.3～5.00v±3％±10mv;4.門極觸發(fā)電流：2～450ma±3％±1 ma;2.2 維持電流測(cè)試單元ih1. 陽極電壓：12v;2.預(yù)導(dǎo)通電流： ＞10a,正弦衰減波；3.維持電流： 2～450ma ±5％±1 ma;4.測(cè)試頻率：?jiǎn)未危?.3 通態(tài)壓降測(cè)試單元vtm1.平板器件通態(tài)電流：0.10～5.00ka,分辨率：0.01ka,精度±1 0a±5％；2.模塊器件通態(tài)電流：0.10～2.00ka,分辨率：0.01ka,精度±1 0a±5％；3. 電流上升沿時(shí)間：≥5ms；4. 通態(tài)壓降測(cè)試范圍： 0.20～10.00v, 分辨率：0.01v,精度±0.1 v±5％；5. 測(cè)試頻率：?jiǎn)未危?.4 斷態(tài)電壓/斷態(tài)漏電流vd/id；反向電壓/反向漏電流vr/ir測(cè)試單元1.阻斷電壓：0.20～6.00kv,分辨率：0.01kv,精度±0.1 kv±3％；模塊單元阻斷電壓：0.20～4.00kv2. 正反向自動(dòng)測(cè)試：3．正/反向漏電流：0.2～100 ma,分辨率：0.1 ma；精度：±5％±1 ma；4. 輸出保護(hù)電壓和電流可計(jì)算機(jī)設(shè)定范圍值；在測(cè)試時(shí)電壓或漏電流超過所 設(shè)定的范圍則自動(dòng)保護(hù)。5. 測(cè)試頻率： 50hz2.5 斷態(tài)電壓臨界上升率測(cè)試單元dv/dt1.電壓：1200v,1600v,2000v三檔,分辨率：1v,精度±5％；2. 電壓過沖范圍：＜50v±10％3. dv/dt電壓上升率三擋選擇：dv/dt：800v/μs、1000v/μs、1200v/μs、精度±10％；2.6 擎住電流il：100-1800ma2.7 平板夾具壓力范圍：6-60kn,氣動(dòng)加壓方式

三、功能概述3-1測(cè)試功能范圍該套測(cè)試設(shè)備主要可測(cè)試以下參數(shù)：1.門極參數(shù)測(cè)試：vgt、igt2.維持電流測(cè)試：ih3.阻斷參數(shù)測(cè)試：本測(cè)試單元可用以測(cè)量晶閘管的vdrm、vrrm、idrm、irrm以及整流二極管的vrrm、irrm等參數(shù)。4.壓降單元本測(cè)試單元用來測(cè)量晶閘管、整流管的vtm、itm、vfm、ifm等參數(shù)。5、電壓上升率參數(shù)測(cè)試：dv/dt6、擎住電流il7、門極電阻：適合門極觸發(fā)電壓在0.95v以上器件測(cè)試3-2、測(cè)試方法和測(cè)試準(zhǔn)則及原理滿足 iec 60747-6-2000 中關(guān)于晶閘管測(cè)試的具體規(guī)定。