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集成電路具有體積小、重量輕、引出線和焊接點(diǎn)少、壽命長(zhǎng)、可靠性高、性能好等優(yōu)點(diǎn),同時(shí)成本低,便于大規(guī)模成產(chǎn)。它不僅在工、民用電子設(shè)備如電視機(jī)計(jì)算機(jī)等方面得到廣泛的應(yīng)用,同時(shí)在軍事通信等方面也得到廣泛應(yīng)用。

是20世紀(jì)50年代后期一60年代發(fā)展起來的一種新型半導(dǎo)體器件。它是經(jīng)過氧化、光刻、擴(kuò)散、外延、蒸鋁等半導(dǎo)體制造工藝,把構(gòu)成具有一定功能的電路所需的半導(dǎo)體、電阻、電容等元件及它們之間的連接導(dǎo)線全部集成在一小塊硅片上,然后焊接封裝在一個(gè)管殼內(nèi)的電子器件。其封裝外殼有圓殼式、扁平式或雙列直插式等多種形式。集成電路技術(shù)包括芯片制造技術(shù)與設(shè)計(jì)技術(shù),主要體現(xiàn)在加工設(shè)備,加工工藝,封裝測(cè)試,批量生產(chǎn)及設(shè)計(jì)創(chuàng)新的能力上。

據(jù)《中國(guó)集成電路封裝行業(yè)市場(chǎng)前瞻與投資戰(zhàn)略規(guī)劃分析報(bào)告前瞻》顯示,在產(chǎn)業(yè)規(guī)�？焖僭鲩L(zhǎng)的同時(shí),IC 設(shè)計(jì)、芯片制造和封裝測(cè)試三業(yè)的格局也正不斷優(yōu)化。2010年,國(guó)內(nèi)IC設(shè)計(jì)業(yè)同比增速達(dá)到34.8%,規(guī)模達(dá)到363.85億元;芯片制造業(yè)增速也達(dá)到31.1%,規(guī)模達(dá)到447.12億元;封裝測(cè)試業(yè)增速相對(duì)稍緩,同比增幅為26.3%,規(guī)模為629.18億元。

目前,我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)集群已初步形成集聚長(zhǎng)三角、環(huán)渤海和珠三角三大區(qū)域的總體產(chǎn)業(yè)空間格局,2010年三大區(qū)域集成電路產(chǎn)業(yè)銷售收入占全國(guó)整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模的近95%。集成電路產(chǎn)業(yè)基本分布在省會(huì)城市和沿海的計(jì)劃單列市,并呈現(xiàn)“一軸一帶”的分布特征,即東起上海、西至成都的沿江發(fā)展軸以及北起大連、南至深圳的沿海產(chǎn)業(yè)帶,形成了北京、上海、深圳、無錫、蘇州和杭州六大重點(diǎn)城市。

去年年初,國(guó)務(wù)院發(fā)布了《國(guó)務(wù)院關(guān)于印發(fā)進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策的通知》,從財(cái)稅、投融資、研發(fā)、進(jìn)出口、人才、知識(shí)產(chǎn)權(quán)等方面給予集成電路產(chǎn)業(yè)諸多優(yōu)惠,政策覆蓋范圍從設(shè)計(jì)企業(yè)與生產(chǎn)企業(yè)延伸至封裝、測(cè)試、設(shè)備、材料等產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè),產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策環(huán)境進(jìn)一步好轉(zhuǎn)。前瞻網(wǎng)《中國(guó)集成電路行業(yè)市場(chǎng)需求預(yù)測(cè)與投資戰(zhàn)略規(guī)劃分析報(bào)告》表示,根據(jù)國(guó)家規(guī)劃,到2015年國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模將在2010年的基礎(chǔ)上再翻一番,銷售收入超過3000億元,滿足國(guó)內(nèi)30%的市場(chǎng)需求。芯片設(shè)計(jì)能力大幅提升,開發(fā)出一批具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的核心芯片,而封裝測(cè)試業(yè)進(jìn)入國(guó)際主流領(lǐng)域。“十二五”期間,中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)將步入一個(gè)新的黃金發(fā)展期。

集成電路或稱微電路（microcircuit）、 微芯片（microchip）、芯片（chip）在電子學(xué)中是一種把電路（主要包括半導(dǎo)體裝置,也包括被動(dòng)元件等）小型化的方式,并通常制造在半導(dǎo)體晶圓表面上。

前述將電路制造在半導(dǎo)體芯片表面上的集成電路又稱薄膜（thin-film）集成電路。另有一種厚膜（thick-film）混成集成電路（hybrid integrated circuit）是由獨(dú)立半導(dǎo)體設(shè)備和被動(dòng)元件,集成到襯底或線路板所構(gòu)成的小型化電路。

本文是關(guān)于單片（monolithic）集成電路,即薄膜集成電路。

集成電路具有體積小,重量輕,引出線和焊接點(diǎn)少,壽命長(zhǎng),可靠性高,性能好等優(yōu)點(diǎn),同時(shí)成本低,便于大規(guī)模生產(chǎn)。它不僅在工、民用電子設(shè)備如收錄機(jī)、電視機(jī)、計(jì)算機(jī)等方面得到廣泛的應(yīng)用,同時(shí)在軍事、通訊、遙控等方面也得到廣泛的應(yīng)用。用集成電路來裝配電子設(shè)備,其裝配密度比晶體管可提高幾十倍至幾千倍,設(shè)備的穩(wěn)定工作時(shí)間也可大大提高。

集成電路,又稱為IC,按其功能、結(jié)構(gòu)的不同,可以分為模擬集成電路、數(shù)字集成電路和數(shù)/�；旌霞�成電路三大類。

模擬集成電路又稱線性電路,用來產(chǎn)生、放大和處理各種模擬信號(hào)（指幅度隨時(shí)間變化的信號(hào)。例如半導(dǎo)體收音機(jī)的音頻信號(hào)、錄放機(jī)的磁帶信號(hào)等）,其輸入信號(hào)和輸出信號(hào)成比例關(guān)系。而數(shù)字集成電路用來產(chǎn)生、放大和處理各種數(shù)字信號(hào)（指在時(shí)間上和幅度上離散取值的信號(hào)。例如3G手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、電腦CPU、數(shù)字電視的邏輯控制和重放的音頻信號(hào)和視頻信號(hào)）。

按制作工藝分類

集成電路按制作工藝可分為半導(dǎo)體集成電路和膜集成電路。

膜集成電路又分類厚膜集成電路和薄膜集成電路。

按集成度高低分類

集成電路按集成度高低的不同可分為：

SSI 小規(guī)模集成電路(Small Scale Integrated circuits)

MSI 中規(guī)模集成電路(Medium Scale Integrated circuits)

LSI 大規(guī)模集成電路(Large Scale Integrated circuits)

VLSI 超大規(guī)模集成電路(Very Large Scale Integrated circuits)

ULSI 特大規(guī)模集成電路(Ultra Large Scale Integrated circuits)

GSI 巨大規(guī)模集成電路也被稱作極大規(guī)模集成電路或超特大規(guī)模集成電路(Giga Scale Integration)。

按導(dǎo)電類型不同分類

集成電路按導(dǎo)電類型可分為雙極型集成電路和單極型集成電路,他們都是數(shù)字集成電路。

雙極型集成電路的制作工藝復(fù)雜,功耗較大,代表集成電路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等類型。單極型集成電路的制作工藝簡(jiǎn)單,功耗也較低,易于制成大規(guī)模集成電路,代表集成電路有CMOS、NMOS、PMOS等類型。

按用途分類

集成電路按用途可分為電視機(jī)用集成電路、音響用集成電路、影碟機(jī)用集成電路、錄像機(jī)用集成電

路、電腦（微機(jī)）用集成電路、電子琴用集成電路、通信用集成電路、照相機(jī)用集成電路、遙控集成電路、語言集成電路、報(bào)警器用集成電路及各種專用集成電路。

1.電視機(jī)用集成電路包括行、場(chǎng)掃描集成電路、中放集成電路、伴音集成電路、彩色解碼集成電路、AV/TV轉(zhuǎn)換集成電路、開關(guān)電源集成電路、遙控集成電路、麗音解碼集成電路、畫中畫處理集成電路、微處理器（CPU）集成電路、存儲(chǔ)器集成電路等。

2.音響用集成電路包括AM/FM高中頻電路、立體聲解碼電路、音頻前置放大電路、音頻運(yùn)算放大集成電路、音頻功率放大集成電路、環(huán)繞聲處理集成電路、電平驅(qū)動(dòng)集成電路,電子音量控制集成電路、延時(shí)混響集成電路、電子開關(guān)集成電路等。

3.影碟機(jī)用集成電路有系統(tǒng)控制集成電路、視頻編碼集成電路、MPEG解碼集成電路、音頻信號(hào)處理集成電路、音響效果集成電路、RF信號(hào)處理集成電路、數(shù)字信號(hào)處理集成電路、伺服集成電路、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路等。

4.錄像機(jī)用集成電路有系統(tǒng)控制集成電路、伺服集成電路、驅(qū)動(dòng)集成電路、音頻處理集成電路、視頻處理集成電路。

按應(yīng)用領(lǐng)域分

集成電路按應(yīng)用領(lǐng)域可分為標(biāo)準(zhǔn)通用集成電路和專用集成電路。

按外形分

集成電路按外形可分為圓形（金屬外殼晶體管封裝型,一般適合用于大功率）、扁平型（穩(wěn)定性好,體積小）和雙列直插型。

1947年：貝爾實(shí)驗(yàn)室肖特萊等人發(fā)明了晶體管,這是微電子技術(shù)發(fā)展中第一個(gè)里程碑；

1950年：結(jié)型晶體管誕生。

1950年： R Ohl和肖特萊發(fā)明了離子注入工藝。

1951年：場(chǎng)效應(yīng)晶體管發(fā)明。

1956年：C S Fuller發(fā)明了擴(kuò)散工藝。

1958年：仙童公司Robert Noyce與德儀公司基爾比間隔數(shù)月分別發(fā)明了集成電路,開創(chuàng)了世界微電子學(xué)的歷史。

1960年：H H Loor和E Castellani發(fā)明了光刻工藝。

1962年：美國(guó)RCA公司研制出MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術(shù),今天,95%以上的集成電路芯片都是基于CMOS工藝。

1964年：Intel摩爾提出摩爾定律,預(yù)測(cè)晶體管集成度將會(huì)每18個(gè)月增加1倍。

1966年：美國(guó)RCA公司研制出CMOS集成電路,并研制出第一塊門陣列（50門）。

1967年：應(yīng)用材料公司（Applied Materials）成立,現(xiàn)已成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造公司。

1971年：Intel推出1kb動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）,標(biāo)志著大規(guī)模集成電路出現(xiàn)。

1971年：全球第一個(gè)微處理器4004由Intel公司推出,采用的是MOS工藝,這是一個(gè)里程碑式的發(fā)明。

1974年：RCA公司推出第一個(gè)CMOS微處理器1802。

1976年：16kb DRAM和4kb SRAM問世。

1978年：64kb動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器誕生,不足0.5平方厘米的硅片上集成了14萬個(gè)晶體管,標(biāo)志著超大規(guī)模集成電路（VLSI）時(shí)代的來臨。

1979年：Intel推出5MHz 8088微處理器,之后,IBM基于8088推出全球第一臺(tái)PC。

1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM問世。

1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM。

1985年：80386微處理器問世,20MHz。

1988年：16M DRAM問世,1平方厘米大小的硅片上集成有3500萬個(gè)晶體管,標(biāo)志著進(jìn)入超大規(guī)模集成電路（VLSI）階段。

1989年：1Mb DRAM進(jìn)入市場(chǎng)。

1989年：486微處理器推出,25MHz,1μm工藝,后來50MHz芯片采用 0.8μm工藝。

1992年：64M位隨機(jī)存儲(chǔ)器問世。

1993年：66MHz奔騰處理器推出,采用0.6μm工藝。

1995年：Pentium Pro, 133MHz,采用0.6-0.35μm工藝。

1997年：300MHz奔騰Ⅱ問世,采用0.25μm工藝。

1999年：奔騰Ⅲ問世,450MHz,采用0.25μm工藝,后采用0.18μm工藝。

2000年：1Gb RAM投放市場(chǎng)。

2000年：奔騰4問世,1.5GHz,采用0.18μm工藝。

2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工藝。

2003年：奔騰4 E系列推出,采用90nm工藝。

2005年：intel 酷睿2系列上市,采用65nm工藝。

2007年：基于全新45納米High-K工藝的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。

2009年：intel酷睿i系列全新推出,創(chuàng)紀(jì)錄采用了領(lǐng)先的32納米工藝,并且下一代22納米工藝正在研發(fā)。

我國(guó)集成電路發(fā)展歷史

我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)誕生于六十年代,共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：

1965年-1978年：以計(jì)算機(jī)和軍工配套為目標(biāo),以開發(fā)邏輯電路為主要產(chǎn) 品,初步建立集成電路工業(yè)基礎(chǔ)及相關(guān)設(shè)備、儀器、材料的配套條件。

1978年-1990年：主要引進(jìn)美國(guó)二手設(shè)備,改善集成電路裝備水平,在“治散治亂”的同時(shí),以消費(fèi)類整機(jī)作為配套重點(diǎn),較好地解決了彩電集成電路的國(guó)產(chǎn)化。

1990年-2000年：以908工程、909工程為重點(diǎn),以CAD為突破口,抓好科技攻關(guān)和北方科研開發(fā)基地的建設(shè),為信息產(chǎn)業(yè)服務(wù),集成電路行業(yè)取得了新的發(fā)展。

直接代換是指用其他IC不經(jīng)任何改動(dòng)而直接取代原來的IC,代換后不影響機(jī)器的主要性能與指標(biāo)。

其代換原則是：代換IC的功能、性能指標(biāo)、封裝形式、引腳用途、引腳序號(hào)和間隔等幾方面均相同。其中IC的功能相同不僅指功能相同；還應(yīng)注意邏輯極性相同,即輸出輸入電平極性、電壓、電流幅度必須相同。例如：圖像中放IC,TA7607 與TA7611,前者為反向高放AGC,后者為正向高放AGC,故不能直接代換。除此之外還有輸出不同極性AFT電壓,輸出不同極性的同步脈沖等IC 都不能直接代換,即使是同一270 _f8公司或廠家的產(chǎn)品,都應(yīng)注意區(qū)分。性能指標(biāo)是指IC 的主要電參數(shù)（或主要特性曲線）、最大耗散功率、最高工作電壓、頻率范圍及各信號(hào)輸入、輸出阻抗等參數(shù)要與原IC相近。功率小的代用件要加大散熱片。 [1]

1、同一型號(hào)IC的代換

同一型號(hào)IC的代換一般是可靠的,安裝集成電路時(shí),要注意方向不要搞錯(cuò),否則,通電時(shí)集成電路很可能被燒毀。有的單列直插式功放IC,雖型號(hào)、功能、特性相同,但引腳排列順序的方向是有所不同的。例如,雙聲道功放IC LA4507,其引腳有“正”、“反”之分,其起始腳標(biāo)注（色點(diǎn)或凹坑）方向不同；沒有后綴與后綴為"R"的IC 等,例如 M5115P 與M5115RP.

2、不同型號(hào)IC的代換

⑴型號(hào)前綴字母相同、數(shù)字不同IC的代換。這種代換只要相互間的引腳功能完全相同,其內(nèi)部電路和電參數(shù)稍有差異,也可相互直接代換。如：伴音中放IC LA1363和LA1365,后者比前者在IC第⑤腳內(nèi)部增加了一個(gè)穩(wěn)壓二極管,其它完全一樣。

⑵型號(hào)前綴字母不同、數(shù)字相同IC 的代換。一般情況下,前綴字母是表示生產(chǎn)廠家及電路的類別,前綴字母后面的數(shù)字相同,大多數(shù)可以直接代換。但也有少數(shù),雖數(shù)字相同,但功能卻完全不同。例如,HA1364是伴音IC,而uPC1364是色解碼IC；4558,8腳的是運(yùn)算放大器NJM4558,14腳的是CD4558數(shù)字電路； 故二者完全不能代換。

⑶型號(hào)前綴字母和數(shù)字都不同IC的代換。有的廠家引進(jìn)未封裝的ic芯片,然后加工成按本廠命名的產(chǎn)品。還有如為了提高某些參數(shù)指標(biāo)而改進(jìn)產(chǎn)品。這些產(chǎn)品常用不同型號(hào)進(jìn)行命名或用型號(hào)后綴加以區(qū)別。例如,AN380 與uPC1380可以直接代換；AN5620、TEA5620、DG5620等可以直接代換。

非直接代換

非直接代換是指不能進(jìn)行直接代換的IC 稍加修改外圍電路,改變?cè)�引腳的排列或增減個(gè)別元件等,使之成為可代換的IC的方法。

代換原則：代換所用的IC可與原來的IC引腳功能不同、外形不同,但功能要相同,特性要相近；代換后不應(yīng)影響原機(jī)性能。

1、不同封裝IC的代換

相同類型的IC 芯片,但封裝外形不同,代換時(shí)只要將新器件的引腳按原器件引腳的形狀和排列進(jìn)行整形。例如,AFT電路CA3064和CA3064E,前者為圓形封裝,輻射狀引腳；后者為雙列直插塑料封裝,兩者內(nèi)部特性完全一樣,按引腳功能進(jìn)行連接即可。雙列IC AN7114、AN7115與LA4100、LA4102封裝形式基本相同,引腳和散熱片正好都相差180°。前面提到的AN5620帶散熱片雙列直插16腳封裝、TEA5620雙列直插18腳封裝,9、10腳位于集成電路的右邊,相當(dāng)于AN5620的散熱片,二者其它腳排列一樣,將9、10腳連起來接地即可使用。

2、電路功能相同但個(gè)別引腳功能不同IC的代換

代換時(shí)可根據(jù)各個(gè)型號(hào)IC的具體參數(shù)及說明進(jìn)行。如電視機(jī)中的AGC、視頻信號(hào)輸出有正、負(fù)極性的區(qū)別,只要在輸出端加接倒相器后即可代換。

3、類型相同但引腳功能不同IC的代換

這種代換需要改變外圍電路及引腳排列,因而需要一定的理論知識(shí)、完整的資料和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)與技巧。

4、有些空腳不應(yīng)擅自接地

內(nèi)部等效電路和應(yīng)用電路中有的引出腳沒有標(biāo)明,遇到空的引出腳時(shí),不應(yīng)擅自接地,這些引出腳為更替或備用腳,有時(shí)也作為內(nèi)部連接。

5、用分立元件代換IC

有時(shí)可用分立元件代換IC 中被損壞的部分,使其恢復(fù)功能。代換前應(yīng)了解該IC 的內(nèi)部功能原理、每個(gè)引出腳的正常電壓、波形圖及與外圍元件組成電路的工作原理。同時(shí)還應(yīng)考慮：

⑴信號(hào)能否從IC中取出接至外圍電路的輸入端：

⑵經(jīng)外圍電路處理后的信號(hào),能否連接到集成電路內(nèi)部的下一級(jí)去進(jìn)行再處理（連接時(shí)的信號(hào)匹配應(yīng)不影響其主要參數(shù)和性能）。如中放IC損壞,從典型應(yīng)用電路和內(nèi)部電路看,由伴音中放、鑒頻以及音頻放大級(jí)成,可用信號(hào)注入法找出損壞部分,若是音頻放大部分損壞,則可用分立元件代替。

6、組合代換

組合代換就是把同一型號(hào)的多塊IC內(nèi)部未受損的電路部分,重新組合成一塊完整的IC,用以代替功能不良的IC的方法。對(duì)買不到原配IC的情況下是十分適用的。但要求所利用IC內(nèi)部完好的電路一定要有接口引出腳。

注：非直接代換關(guān)鍵是要查清楚互相代換的兩種IC 的基本電參數(shù)、內(nèi)部等效電路、各引腳的功能、IC 與外部元件之間連接關(guān)系的資料。實(shí)際操作時(shí)予以注意：

⑴集成電路引腳的編號(hào)順序,切勿接錯(cuò)；

⑵為適應(yīng)代換后的IC的特點(diǎn),與其相連的外圍電路的元件要作相應(yīng)的改變；

⑶電源電壓要與代換后的IC相符,如果原電路中電源電壓高,應(yīng)設(shè)法降壓；電壓低,要看代換IC能否工作。

⑷代換以后要測(cè)量IC的靜態(tài)工作電流,如電流遠(yuǎn)大于正常值,則說明電路可能產(chǎn)生自激,這時(shí)須進(jìn)行去耦、調(diào)整。若增益與原來有所差別,可調(diào)整反饋電阻阻值；

⑸代換后IC的輸入、輸出阻抗要與原電路相匹配；檢查其驅(qū)動(dòng)能力。

⑹在改動(dòng)時(shí)要充分利用原電路板上的腳孔和引線,外接引線要求整齊,避免前后交叉,以便檢查和防止電路自激,特別是防止高頻自激;

(7)在通電前電源Vcc回路里最好再串接一直流電流表,降壓電阻阻值由大到小觀察集成電路總電流的變化是否正常。

1、檢測(cè)前要了解集成電路及其相關(guān)電路的工作原理

檢查和修理集成電路前首先要熟悉所用集成電路的功能、內(nèi)部電路、主要電氣參數(shù)、各引腳的作用以及引腳的正常電壓、波形與外圍元件組成電路的工作原理。如果具備以上條件,那么分析和檢查會(huì)容易許多。

2、測(cè)試不要造成引腳間短路

電壓測(cè)量或用示波器探頭測(cè)試波形時(shí),表筆或探頭不要由于滑動(dòng)而造成集成電路引腳間短路,最好在與引腳直接連通的外圍印刷電路上進(jìn)行測(cè)量。任何瞬間的短路都容易損壞集成電路,在測(cè)試扁平型封裝的CMOS集成電路時(shí)更要加倍小心。

3、嚴(yán)禁在無隔離變壓器的情況下,用已接地的測(cè)試設(shè)備去接觸底板帶電的電視、音響、錄像等設(shè)備

嚴(yán)禁用外殼已接地的儀器設(shè)備直接測(cè)試無電源隔離變壓器的電視、音響、錄像等設(shè)備。雖然一般的收錄機(jī)都具有電源變壓器,當(dāng)接觸到較特殊的尤其是輸出功率較大或?qū)Σ捎玫碾娫葱再|(zhì)不太了解的電視或音響設(shè)備時(shí),首先要弄清該機(jī)底盤是否帶電,否則極易與底板帶電的電視、音響等設(shè)備造成電源短路,波及集成電路,造成故障的進(jìn)一步擴(kuò)大。

4、要注意電烙鐵的絕緣性能

不允許帶電使用烙鐵焊接,要確認(rèn)烙鐵不帶電,最好把烙鐵的外殼接地,對(duì)MOS電路更應(yīng)小心,能采用6~8V的低壓電烙鐵就更安全。

5、要保證焊接質(zhì)量

焊接時(shí)確實(shí)焊牢,焊錫的堆積、氣孔容易造成虛焊。焊接時(shí)間一般不超過3秒鐘,烙鐵的功率應(yīng)用內(nèi)熱式25W左右。已焊接好的集成電路要仔細(xì)查看,最好用歐姆表測(cè)量各引腳間有否短路,確認(rèn)無焊錫粘連現(xiàn)象再接通電源。

6、不要輕易斷定集成電路的損壞

不要輕易地判斷集成電路已損壞。因?yàn)榧�成電路絕大多數(shù)為直接耦合,一旦某一電路不正常,可能會(huì)導(dǎo)致多處電壓變化,而這些變化不一定是集成電路損壞引起的,另外在有些情況下測(cè)得各引腳電壓與正常值相符或接近時(shí),也不一定都能說明集成電路就是好的。因?yàn)橛行┸浌收喜粫?huì)引起直流電壓的變化。

7、測(cè)試儀表內(nèi)阻要大

測(cè)量集成電路引腳直流電壓時(shí),應(yīng)選用表頭內(nèi)阻大于20KΩ/V的萬用表,否則對(duì)某些引腳電壓會(huì)有較大的測(cè)量誤差。

8、要注意功率集成電路的散熱

功率集成電路應(yīng)散熱良好,不允許不帶散熱器而處于大功率的狀態(tài)下工作。

9、引線要合理

如需要加接外圍元件代替集成電路內(nèi)部已損壞部分,應(yīng)選用小型元器件,且接線要合理以免造成不必要的寄生耦合,尤其是要處理好音頻功放集成電路和前置放大電路之間的接地端。

型號(hào)命名

我國(guó)集成電路的型號(hào) 根據(jù)國(guó)際,我國(guó)集成電路的命名由五部分組成。

第0部分 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分

各部分的含義如下

第0部分：用字母表示符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),C表示中國(guó)國(guó)際產(chǎn)品。

第一部分：用字母表示器件類型。

第二部分：用數(shù)字表示器件的系列代號(hào)。

第三部分：用字母表示器件的工作溫度。

第四部分：用字母表示器件的封裝。

國(guó)標(biāo)GB/T3430—1989半導(dǎo)體集成電路命名方法規(guī)定集成電路型號(hào)各部分的符合及意義如表所以。

集成電路型號(hào)各部分的意義

例如： 肖特基4輸入與非門 CT54S20MD

C—符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

T—TTL電路

54S20—肖特基雙4輸入與非門

M—‐55~125℃

D—多層陶瓷雙列直插封裝

球形觸點(diǎn)陣列,表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陣列方式制作出球形凸點(diǎn)用 以代替引

腳,在印刷基板的正面裝配LSI 芯片,然后用模壓樹脂或灌封方法進(jìn)行密封。也稱為凸點(diǎn)陣列載體(PAC)。引腳可超過200,是多引腳LSI 用的一種封裝。封裝本體也可做得比QFP(四側(cè)引腳扁平封裝)小。例如,引腳中心距為1.5mm 的360 引腳 BGA 僅為31mm 見方；而引腳中心距為0.5mm 的304 引腳QFP為40mm 見方。而且BGA 不 用擔(dān)心QFP 那樣的引腳變形問題。該封裝是美國(guó)Motorola 公司開發(fā)的,首先在便攜式電話等設(shè)備中被采用,今后在美國(guó)有 可 能在個(gè)人計(jì)算機(jī)中普及。最初,BGA 的引腳(凸點(diǎn))中心距為1.5mm,引腳數(shù)為225�，F(xiàn)在 也有 一些LSI 廠家正在開發(fā)500 引腳的BGA。BGA 的問題是回流焊后的外觀檢查�，F(xiàn)在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認(rèn)為,由于焊接的中心距較大,連接可以看作是穩(wěn)定的,只能通過功能檢查來處理。 美國(guó)Motorola 公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC,而把灌封方法密封的封裝稱為GPAC(見OMPAC 和GPAC)。

BQFP

(quad flat package with bumper)

帶緩沖墊的四側(cè)引腳扁平封裝。QFP 封裝之一,在封裝本體的四個(gè)角設(shè)置突起(緩沖墊) 以 防止在運(yùn)送過程中引腳發(fā)生彎曲變形。美國(guó)半導(dǎo)體廠家主要在微處理器和ASIC 等電路中 采用 此封裝。引腳中心距0.635mm,引腳數(shù)從84 到196 左右(見QFP)。

C－

(ceramic)

表示陶瓷封裝的記號(hào)。例如,CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在實(shí)際中經(jīng)常使用的記號(hào)。

Cerdip

用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝,用于ECL RAM,DSP(數(shù)字信號(hào)處理器)等電路。帶有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外線擦除型EPROM 以及內(nèi)部帶有EPROM 的微機(jī)電路等。引腳中 心 距2.54mm,引腳數(shù)從8 到42。在日本,此封裝表示為DIP－G(G 即玻璃密封的意思)。

Cerquad

表面貼裝型封裝之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封裝DSP 等的邏輯LSI 電路。帶有窗 口的

Cerquad 用于封裝EPROM 電路。散熱性比塑料QFP 好,在自然空冷條件下可容許1. 5～ 2W 的功率。但封裝成本比塑料QFP 高3～5 倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多種規(guī)格。引腳數(shù)從32 到368。

帶引腳的陶瓷芯片載體,表面貼裝型封裝之一,引腳從封裝的四個(gè)側(cè)面引出,呈丁字形 。 帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型EPROM 以及帶有EPROM 的微機(jī)電路等。此封裝也稱為 QFJ、QFJ－G(見QFJ)。

COB

(chip on board)

板上芯片封裝,是裸芯片貼裝技術(shù)之一,半導(dǎo)體芯片交接貼裝在印刷線路板上,芯片與 基 板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn),芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn),并用 樹脂覆 蓋以確保可靠性。雖然COB 是最簡(jiǎn)單的裸芯片貼裝技術(shù),但它的封裝密度遠(yuǎn)不如TAB 和 倒片 焊技術(shù)。

DFP

(dual flat package)

雙側(cè)引腳扁平封裝。是SOP 的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法,現(xiàn)在已基本上不用。

DIC

(dual in-line ceramic package)

陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP).

DIL

(dual in-line)

DIP 的別稱(見DIP)。歐洲半導(dǎo)體廠家多用此名稱。

DIP

(dual in-line package)

雙列直插式封裝。插裝型封裝之一,引腳從封裝兩側(cè)引出,封裝材料有塑料和陶瓷兩種 。 DIP 是最普及的插裝型封裝,應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC,存貯器LSI,微機(jī)電路等。 引腳中心距2.54mm,引腳數(shù)從6 到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm 和10.16mm 的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP(窄體型DIP)。但多數(shù)情況下并不加 區(qū)分, 只簡(jiǎn)單地統(tǒng)稱為DIP。另外,用低熔點(diǎn)玻璃密封的陶瓷DIP 也稱為cerdip(見cerdip)。

DSO

(dual small out-lint)

雙側(cè)引腳小外形封裝。SOP 的別稱(見SOP)。部分半導(dǎo)體廠家采用此名稱。

DICP

(dual tape carrier package)

雙側(cè)引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側(cè)引出。由于 利 用的是

TAB(自動(dòng)帶載焊接)技術(shù),封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅(qū)動(dòng)LSI,但多數(shù)為 定制品。 另外,0.5mm 厚的存儲(chǔ)器LSI 簿形封裝正處于開發(fā)階段。在日本,按照EIAJ(日本電子機(jī) 械工 業(yè))會(huì)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定,將DICP 命名為DTP。

DIP

(dual tape carrier package)

同上。日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)DTCP 的命名(見DTCP)。

FP

(flat package)

扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP 或SOP(見QFP 和SOP)的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采 用此名稱。

flip-chip

倒焊芯片。裸芯片封裝技術(shù)之一,在LSI 芯片的電極區(qū)制作好金屬凸點(diǎn),然后把金屬凸 點(diǎn) 與印刷基板上的電極區(qū)進(jìn)行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有 封裝技 術(shù)中體積最小、最薄的一種。 但如果基板的熱膨脹系數(shù)與LSI 芯片不同,就會(huì)在接合處產(chǎn)生反應(yīng),從而影響連接的可 靠 性。因此必須用樹脂來加固LSI 芯片,并使用熱膨脹系數(shù)基本相同的基板材料。

FQFP

(fine pitch quad flat package)

小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm 的QFP(見QFP)。部分導(dǎo)導(dǎo)體廠家采 用此名稱。

CPAC

(globe top pad array carrier)

美國(guó)Motorola 公司對(duì)BGA 的別稱(見BGA)。

CQFP

(quad fiat package with guard ring)

帶保護(hù)環(huán)的四側(cè)引腳扁平封裝。塑料QFP 之一,引腳用樹脂保護(hù)環(huán)掩蔽,以防止彎曲變 形。 在把LSI 組裝在印刷基板上之前,從保護(hù)環(huán)處切斷引腳并使其成為海鷗翼狀(L 形狀)。 這種封裝 在美國(guó)Motorola 公司已批量生產(chǎn)。引腳中心距0.5mm,引腳數(shù)最多為208 左右。

H-

(with heat sink)

表示帶散熱器的標(biāo)記。例如,HSOP 表示帶散熱器的SOP。

pingridarray

(surface mount type)

表面貼裝型PGA。通常PGA 為插裝型封裝,引腳長(zhǎng)約3.4mm。表面貼裝型PGA 在封裝的 底面有陳列

狀的引腳,其長(zhǎng)度從1.5mm 到2.0mm。貼裝采用與印刷基板碰焊的方法,因而 也稱 為碰焊PGA。因?yàn)橐�腳中心距只有1.27mm,比插裝型PGA 小一半,所以封裝本體可制作得 不 怎么大,而引腳數(shù)比插裝型多(250～528),是大規(guī)模邏輯LSI 用的封裝。封裝的基材有 多層陶 瓷基板和玻璃環(huán)氧樹脂印刷基數(shù)。以多層陶瓷基材制作封裝已經(jīng)實(shí)用化。

JLCC

(J-leaded chip carrier)

J 形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC 和帶窗口的陶瓷QFJ 的別稱(見CLCC 和QFJ)。部分半 導(dǎo)體廠家采用的名稱。

LCC

(Leadless chip carrier)

無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個(gè)側(cè)面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是 高 速和高頻IC 用封裝,也稱為陶瓷QFN 或QFN－C(見QFN)。

LGA

(land grid array)

觸點(diǎn)陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態(tài)坦電極觸點(diǎn)的封裝。裝配時(shí)插入插座即可�，F(xiàn) 已 實(shí)用的有227 觸點(diǎn)(1.27mm 中心距)和447 觸點(diǎn)(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA,應(yīng)用于高速 邏輯 LSI 電路。 LGA 與QFP 相比,能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外,由于引線的阻 抗 小,對(duì)于高速LSI 是很適用的。但由于插座制作復(fù)雜,成本高,現(xiàn)在基本上不怎么使用 。預(yù)計(jì) 今后對(duì)其需求會(huì)有所增加。

LOC

(lead on chip)

芯片上引線封裝。LSI 封裝技術(shù)之一,引線框架的前端處于芯片上方的一種結(jié)構(gòu),芯片 的 中心附近制作有凸焊點(diǎn),用引線縫合進(jìn)行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側(cè)面 附近的 結(jié)構(gòu)相比,在相同大小的封裝中容納的芯片達(dá)1mm 左右寬度。

LQFP

(low profile quad flat package)

薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm 的QFP,是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)根據(jù)制定的新QFP 外形規(guī)格所用的名稱。

L－QUAD

陶瓷QFP 之一。封裝基板用氮化鋁,基導(dǎo)熱率比氧化鋁高7～8 倍,具有較好的散熱性。 封裝的框架用氧化鋁,芯片用灌封法密封,從而抑制了成本。是為邏輯LSI 開發(fā)的一種 封裝, 在自然空冷條件下可容許W3的功率�，F(xiàn)已開發(fā)出了208 引腳(0.5mm 中心距)和160 引腳 (0.65mm 中心距)的LSI 邏輯用封裝,并于1993 年10 月開始投入批量生產(chǎn)。

MCM

(multi-chip module)

多芯片組件。將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可 分 為MCM－L,MCM－C 和MCM－D 三大類。 MCM－L 是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高,成本較低 。 MCM－C 是用厚膜技術(shù)形成多層布線,以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件,與使 用多層陶瓷基板的厚膜混合IC 類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM－L。

MCM－D 是用薄膜技術(shù)形成多層布線,以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al 作為基板的組 件。 布線密謀在三種組件中是最高的,但成本也高。

MFP

(mini flat package)

小形扁平封裝。塑料SOP 或SSOP 的別稱(見SOP 和SSOP)。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。

MQFP

(metric quad flat package)

按照J(rèn)EDEC(美國(guó)聯(lián)合電子設(shè)備委員會(huì))標(biāo)準(zhǔn)對(duì)QFP 進(jìn)行的一種分類。指引腳中心距為 0.65mm、本體厚度為3.8mm～2.0mm 的標(biāo)準(zhǔn)QFP(見QFP)。

MQUAD

(metal quad)

美國(guó)Olin 公司開發(fā)的一種QFP 封裝。基板與封蓋均采用鋁材,用粘合劑密封。在自然空 冷 條件下可容許2.5W～2.8W 的功率。日本新光電氣工業(yè)公司于1993 年獲得特許開始生產(chǎn) 。

MSP

(mini square package)

QFI 的別稱(見QFI),在開發(fā)初期多稱為MSP。QFI 是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)規(guī)定的名稱。

34、OPMAC(over molded pad array carrier)

模壓樹脂密封凸點(diǎn)陳列載體。美國(guó)Motorola 公司對(duì)模壓樹脂密封BGA 采用的名稱(見 BGA)。

P

(plastic)

表示塑料封裝的記號(hào)。如PDIP 表示塑料DIP。

PAC

(pad array carrier)

凸點(diǎn)陳列載體,BGA 的別稱(見BGA)。

PCLP

(printed circuit board leadless package)

印刷電路板無引線封裝。日本富士通公司對(duì)塑料QFN(塑料LCC)采用的名稱(見QFN)。引

腳中心距有0.55mm 和0.4mm 兩種規(guī)格。目前正處于開發(fā)階段。

PFPF

(plastic flat package)

塑料扁平封裝。塑料QFP 的別稱(見QFP)。部分LSI 廠家采用的名稱。

PGA

(pin grid array)

陳列引腳封裝。插裝型封裝之一,其底面的垂直引腳呈陳列狀排列。封裝基材基本上都 采 用多層陶

瓷基板。在未專門表示出材料名稱的情況下,多數(shù)為陶瓷PGA,用于高速大規(guī)模 邏輯 LSI 電路。成本較高。引腳中心距通常為2.54mm,引腳數(shù)從64 到447 左右。 了為降低成本,封裝基材可用玻璃環(huán)氧樹脂印刷基板代替。也有64～256 引腳的塑料PG A。 另外,還有一種引腳中心距為1.27mm 的短引腳表面貼裝型PGA(碰焊PGA)。(見表面貼裝 型PGA)。

piggyback

馱載封裝。指配有插座的陶瓷封裝,形關(guān)與DIP、QFP、QFN 相似。在開發(fā)帶有微機(jī)的設(shè) 備時(shí)用于評(píng)價(jià)程序確認(rèn)操作。例如,將EPROM 插入插座進(jìn)行調(diào)試。這種封裝基本上都是 定制 品,市場(chǎng)上不怎么流通。

PLCC

(plastic leaded chip carrier)

帶引線的塑料芯片載體。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝的四個(gè)側(cè)面引出,呈丁字形 , 是塑料制品。美國(guó)德克薩斯儀器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中采用,現(xiàn)在已經(jīng) 普 及用于邏輯LSI、DLD(或程邏輯器件)等電路。引腳中心距1.27mm,引腳數(shù)從18 到84。 J 形引腳不易變形,比QFP 容易操作,但焊接后的外觀檢查較為困難。 PLCC 與LCC(也稱QFN)相似。以前,兩者的區(qū)別僅在于前者用塑料,后者用陶瓷。但現(xiàn) 在已經(jīng)出現(xiàn)用陶瓷制作的J 形引腳封裝和用塑料制作的無引腳封裝(標(biāo)記為塑料LCC、PC LP、P －LCC 等),已經(jīng)無法分辨。為此,日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)于1988 年決定,把從四側(cè)引出 J 形引 腳的封裝稱為QFJ,把在四側(cè)帶有電極凸點(diǎn)的封裝稱為QFN(見QFJ 和QFN)。

P－LCC

(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)

有時(shí)候是塑料QFJ 的別稱,有時(shí)候是QFN(塑料LCC)的別稱(見QFJ 和QFN)。部分

LSI 廠家用PLCC 表示帶引線封裝,用P－LCC 表示無引線封裝,以示區(qū)別。

QFH

(quad flat high package)

四側(cè)引腳厚體扁平封裝。塑料QFP 的一種,為了防止封裝本體斷裂,QFP 本體制作得 較厚(見QFP)。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。

QFI

(quad flat I-leaded packgac)

四側(cè)I 形引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝四個(gè)側(cè)面引出,向下呈I 字 。 也稱為MSP(見MSP)。貼裝與印刷基板進(jìn)行碰焊連接。由于引腳無突出部分,貼裝占有面 積小 于QFP。 日立制作所為視頻模擬IC 開發(fā)并使用了這種封裝。此外,日本的Motorola 公司的PLL IC 也采用了此種封裝。引腳中心距1.27mm,引腳數(shù)從18 于68。

QFJ

(quad flat J-leaded package)

四側(cè)J 形引腳扁平封裝。表面貼裝封裝之一。引腳從封裝四個(gè)側(cè)面引出,向下呈J 字形 。 是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)規(guī)定的名稱。引腳中心距1.27mm。

材料有塑料和陶瓷兩種。塑料QFJ 多數(shù)情況稱為PLCC(見PLCC),用于微機(jī)、門陳列、 DRAM、ASSP、OTP 等電路。引腳數(shù)從18 至84。

陶瓷QFJ 也稱為CLCC、JLCC(見CLCC)。帶窗口的封裝用于紫外線擦除型EPROM 以及 帶有EPROM 的微機(jī)芯片電路。引腳數(shù)從32 至84。

QFN

(quad flat non-leaded package)

四側(cè)無引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。現(xiàn)在多稱為L(zhǎng)CC。QFN 是日本電子機(jī)械工業(yè) 會(huì)規(guī)定的

名稱。封裝四側(cè)配置有電極觸點(diǎn),由于無引腳,貼裝占有面積比QFP 小,高度 比QFP 低。但是,當(dāng)印刷基板與封裝之間產(chǎn)生應(yīng)力時(shí),在電極接觸處就不能得到緩解。因此電 極觸點(diǎn) 難于作到QFP 的引腳那樣多,一般從14 到100 左右。 材料有陶瓷和塑料兩種。當(dāng)有LCC 標(biāo)記時(shí)基本上都是陶瓷QFN。電極觸點(diǎn)中心距1.27mm。

塑料QFN 是以玻璃環(huán)氧樹脂印刷基板基材的一種低成本封裝。電極觸點(diǎn)中心距除1.27mm 外, 還有0.65mm 和0.5mm 兩種。這種封裝也稱為塑料LCC、PCLC、P－LCC 等。

QFP

(quad flat package)

四側(cè)引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一,引腳從四個(gè)側(cè)面引出呈海鷗翼(L)型�；�材有 陶 瓷、金屬和塑料三種。從數(shù)量上看,塑料封裝占絕大部分。當(dāng)沒有特別表示出材料時(shí), 多數(shù)情 況為塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引腳LSI 封裝。不僅用于微處理器,門陳列等數(shù)字 邏輯LSI 電路,而且也用于VTR 信號(hào)處理、音響信號(hào)處理等模擬LSI 電路。引腳中心距 有1.0mm、0.8mm、 0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多種規(guī)格。0.65mm 中心距規(guī)格中最多引腳數(shù)為304。

日本將引腳中心距小于0.65mm 的QFP 稱為QFP(FP)。但現(xiàn)在日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)對(duì)QFP 的外形規(guī)格進(jìn)行了重新評(píng)價(jià)。在引腳中心距上不加區(qū)別,而是根據(jù)封裝本體厚度分為 QFP(2.0mm～3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三種。

另外,有的LSI 廠家把引腳中心距為0.5mm 的QFP 專門稱為收縮型QFP 或SQFP、VQFP。 但有的廠家把引腳中心距為0.65mm 及0.4mm 的QFP 也稱為SQFP,至使名稱稍有一些混亂 。 QFP 的缺點(diǎn)是,當(dāng)引腳中心距小于0.65mm 時(shí),引腳容易彎曲。為了防止引腳變形,現(xiàn)已 出現(xiàn)了幾種改進(jìn)的QFP 品種。如封裝的四個(gè)角帶有樹指緩沖墊的BQFP(見BQFP)；帶樹脂 保護(hù) 環(huán)覆蓋引腳前端的GQFP(見GQFP)；在封裝本體里設(shè)置測(cè)試凸點(diǎn)、放在防止引腳變形的專 用夾 具里就可進(jìn)行測(cè)試的TPQFP(見TPQFP)。 在邏輯LSI 方面,不少開發(fā)品和高可靠品都封裝在多層陶瓷QFP 里。引腳中心距最小為 0.4mm、引腳數(shù)最多為348 的產(chǎn)品也已問世。此外,也有用玻璃密封的陶瓷QFP(見Gerqa d)。

QFP

(FP)(QFP fine pitch)

小中心距QFP。日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的名稱。指引腳中心距為0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小于0.65mm 的QFP(見QFP)。

QIC

(quad in-line ceramic package)

陶瓷QFP 的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱(見QFP、Cerquad)。

QIP

(quad in-line plastic package)

塑料QFP 的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱(見QFP)。

QTCP

(quad tape carrier package)

四側(cè)引腳帶載封裝。TCP 封裝之一,在絕緣帶上形成引腳并從封裝四個(gè)側(cè)面引出。是利 用 TAB 技術(shù)的薄型封裝(見TAB、TCP)。

QTP

(quad tape carrier package)

四側(cè)引腳帶載封裝。日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)于1993 年4 月對(duì)QTCP 所制定的外形規(guī)格所用 的 名稱(見TCP)。

QUIL

(quad in-line)

QUIP 的別稱(見QUIP)。

QUIP

(quad in-line package)

四列引腳直插式封裝。引腳從封裝兩個(gè)側(cè)面引出,每隔一根交錯(cuò)向下彎曲成四列。引腳 中 心距1.27mm,當(dāng)插入印刷基板時(shí),插入中心距就變成2.5mm。因此可用于標(biāo)準(zhǔn)印刷線路板。是 比標(biāo)準(zhǔn)DIP 更小的一種封裝。日本電氣公司在臺(tái)式計(jì)算機(jī)和家電產(chǎn)品等的微機(jī)芯片中采 用了些 種封裝。材料有陶瓷和塑料兩種。引腳數(shù)64。

SDIP

(shrink dual in-line package)

收縮型DIP。插裝型封裝之一,形狀與DIP 相同,但引腳中心距(1.778mm)小于DIP(2.54 mm),

因而得此稱呼。引腳數(shù)從14 到90。也有稱為SH－DIP 的。材料有陶瓷和塑料兩種。

SH－DIP

(shrink dual in-line package)

同SDIP。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。

SIL

(single in-line)

SIP 的別稱(見SIP)。歐洲半導(dǎo)體廠家多采用SIL 這個(gè)名稱。

SIMM

(single in-line memory module)

單列存貯器組件。只在印刷基板的一個(gè)側(cè)面附近配有電極的存貯器組件。通常指插入插 座 的組件。標(biāo)準(zhǔn)SIMM 有中心距為2.54mm 的30 電極和中心距為1.27mm 的72 電極兩種規(guī)格 。 在印刷基板的單面或雙面裝有用SOJ 封裝的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已經(jīng)在個(gè)人 計(jì)算機(jī)、工作站等設(shè)備中獲得廣泛應(yīng)用。至少有30～40%的DRAM 都裝配在SIMM 里。

SIP

(single in-line package)

單列直插式封裝。引腳從封裝一個(gè)側(cè)面引出,排列成一條直線。當(dāng)裝配到印刷基板上時(shí) 封 裝呈側(cè)立狀。引腳中心距通常為2.54mm,引腳數(shù)從2 至23,多數(shù)為定制產(chǎn)品。封裝的形 狀各 異。也有的把形狀與ZIP 相同的封裝稱為SIP。

SK－DIP

(skinny dual in-line package)

DIP 的一種。指寬度為7.62mm、引腳中心距為2.54mm 的窄體DIP。通常統(tǒng)稱為DIP(見 DIP)。

SL－DIP

(slim dual in-line package)

DIP 的一種。指寬度為10.16mm,引腳中心距為2.54mm 的窄體DIP。通常統(tǒng)稱為DIP。

SMD

(surface mount devices)

表面貼裝器件。偶而,有的半導(dǎo)體廠家把SOP 歸為SMD(見SOP)。

SOP 的別稱。世界上很多半導(dǎo)體廠家都采用此別稱。(見SOP)。

SOI

(small out-line I-leaded package)

I 形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝雙側(cè)引出向下呈I 字形,中心 距 1.27mm。貼裝占有面積小于SOP。日立公司在模擬IC(電機(jī)驅(qū)動(dòng)用IC)中采用了此封裝。引 腳數(shù) 26。

SOIC

(small out-line integrated circuit)

SOP 的別稱(見SOP)。國(guó)外有許多半導(dǎo)體廠家采用此名稱。

SOJ

(Small Out-Line J-Leaded Package)

J 形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝兩側(cè)引出向下呈J 字形,故此 得名。 通常為塑料制品,多數(shù)用于DRAM 和SRAM 等存儲(chǔ)器LSI 電路,但絕大部分是DRAM。用SO J 封裝的DRAM 器件很多都裝配在SIMM 上。引腳中心距1.27mm,引腳數(shù)從20 至40(見SIMM )。

SQL

(Small Out-Line L-leaded package)

按照J(rèn)EDEC(美國(guó)聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會(huì))標(biāo)準(zhǔn)對(duì)SOP 所采用的名稱(見SOP)。

68、SONF

(Small Out-Line Non-Fin)

無散熱片的SOP。與通常的SOP 相同。為了在功率IC 封裝中表示無散熱片的區(qū)別,有意 增添了NF(non-fin)標(biāo)記。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱(見SOP)。

SOP

(small Out-Line package)

小外形封裝。表面貼裝型封裝之一,引腳從封裝兩側(cè)引出呈海鷗翼狀(L 字形)。材料有 塑料 和陶瓷兩種。另外也叫SOL 和DFP。

SOP 除了用于存儲(chǔ)器LSI 外,也廣泛用于規(guī)模不太大的ASSP 等電路。在輸入輸出端子不 超過10～40 的領(lǐng)域,SOP 是普及最廣的表面貼裝封裝。引腳中心距1.27mm,引腳數(shù)從8 ～44。

另外,引腳中心距小于1.27mm 的SOP 也稱為SSOP；裝配高度不到1.27mm 的SOP 也稱為 TSOP(見SSOP、TSOP)。還有一種帶有散熱片的SOP。

SOW

(Small Outline Package(Wide-Jype))

寬體SOP。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。

國(guó)內(nèi)集成電路市場(chǎng)規(guī)模也由2001年的1140億元擴(kuò)大到2010年的7350億元,擴(kuò)大了6.5倍。國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模與市場(chǎng)規(guī)模之比始終未超過20%。如扣除集成電路產(chǎn)業(yè)中接受境外委托代工的銷售額,則中國(guó)集成電路市場(chǎng)的實(shí)際國(guó)內(nèi)自給率還不足10%,國(guó)內(nèi)市場(chǎng)所需的集成電路產(chǎn)品主要依靠進(jìn)口。近幾年國(guó)內(nèi)集成電路進(jìn)口規(guī)模迅速擴(kuò)大,2010年已經(jīng)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的1570億美元,集成電路已連續(xù)兩年超過原油成為國(guó)內(nèi)最大宗的進(jìn)口商品。與巨大且快速增長(zhǎng)的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)相比,中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)雖發(fā)展迅速但仍難以滿足內(nèi)需要求。

當(dāng)前以移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、三網(wǎng)融合、物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、智能電網(wǎng)、新能源汽車為代表的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,將成為繼計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通信、消費(fèi)電子之后,推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新動(dòng)力。工信部預(yù)計(jì),國(guó)內(nèi)集成電路市場(chǎng)規(guī)模到2015年將達(dá)到12000億元。

我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的生態(tài)環(huán)境亟待優(yōu)化,設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試以及專用設(shè)備、儀器、材料等產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同性不足,芯片、軟件、整機(jī)、系統(tǒng)、應(yīng)用等各環(huán)節(jié)互動(dòng)不緊密�！笆�二五”期間,中國(guó)將積極探索集成電路產(chǎn)業(yè)鏈上下游虛擬一體化模式,充分發(fā)揮市場(chǎng)機(jī)制作用,強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)鏈上下游的合作與協(xié)同,共建價(jià)值鏈。培育和完善生態(tài)環(huán)境,加強(qiáng)集成電路產(chǎn)品設(shè)計(jì)與軟件、整機(jī)、系統(tǒng)及服務(wù)的有機(jī)連接,實(shí)現(xiàn)各環(huán)節(jié)企業(yè)的群體躍升,增強(qiáng)電子信息大產(chǎn)業(yè)鏈的整體競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。