北京時間12月12日晚間消息,據(jù)國外媒體報道,三星電子將對其中國芯片工廠增加80億美元的投資,以促進NAND閃存芯片的生產(chǎn)。

　　三星的此次投資正值全球內(nèi)存市場預計于明年反彈之際。據(jù)預計,由于供應有限,以及對5G設備和網(wǎng)絡需求的不斷上升,明年全球內(nèi)存芯片市場將出現(xiàn)反彈。

　　三星是世界上最大的NAND閃存芯片制造商,NAND閃存芯片可以永久保存數(shù)據(jù),普遍用于移動設備、存儲卡、USB閃存驅動器和固態(tài)驅動器中。

　　三星2017年曾宣布,未來三年將向生產(chǎn)NAND閃存芯片的西安工廠投資70億美元。在此之前,三星早些時候還向西安的一家檢測和包裝工廠投資了108億美元。

　　此次80億美元的投資是三星西安閃存芯片項目的二期的第二階段投資,之前的 108億美元為一期投資。二期項目總投資150億美元,第一階段投資約70億美元,第二階段為80億美元。

　　二期項目預計于2021年下半年竣工,建成后將新增產(chǎn)能每月13萬片,新增產(chǎn)值300億元。

　　三星在NAND閃存領域的競爭對手包括韓國的SK Hynix、美國的美光科技和日本的東芝公司。此外,幾家中國公司也曾試圖進入該市場。

　　今年9月,紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布,已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。